集成电路芯片封装技术资料.pptVIP

历史的发展过程：最早是金属封装，然后是陶瓷封装， 最后是塑料封装。 性能分：金属和陶瓷封装是气密封装，塑料封装是非气密或准气密封装； 金属或陶瓷封装可用于“严酷的环境条件”，如军用、宇航等，而塑封只能用于“不太严酷”的环境； 金属封装目前主要用于大功率的混合集成电路（HIC）， 部分军品及需空封器件。 IC封装的生命周期 芯片尺寸封装 球栅阵列封装 倒装芯片 薄的缩小型SOP 薄 /小引脚中心距QFP 缩小型SOP 自动带载焊接 四边引脚扁平封装 小外形封装 J形引脚小外型封装 带引线的塑料芯片载体 针脚阵列封装 塑料双列直插式封装 带引脚的芯片载体 陶瓷DIP 封装型式的发展 发展方向：轻、薄、短、小 DIP—SDIP—SKDIP（双列式） SOP—TSP—UTSOP（小型-薄型-超薄型） PGA—BGA（点阵列式-球栅阵列式） Lead on Chip：芯片上引线封装 单芯片封装向多芯片封装的演变 （自动带载焊接） 芯片尺寸封装 (多芯片组件) 单级集成模块 表1．硅片封装效率的提高 年代 1970 1980 1990 1993 封装年代 DIP PQFP BGA/CSP DCA/CSP 封装效率Sd/Sp (2~7)% (10~30)% (20~80)% (50~90)% * 封装效率　　　 封装效率　　　　　 封装效率　　　　　　 封装效率 =2-7%(1970-) =10-30%(1980-) =20-80%(1990-) =50-90%(1993-) 封装效率的改进 表2．封装厚度的变化 封装形式 PQFP/PDIP TQFP/TSOP UTQFP/UTSOP 封装厚度(mm) 3.6~2.0 1.4~1.0 0.8~0.5 封装厚度比较 表3．引线节距缩小的趋势 年份 1980 1985 1990 1995 2000 典型封装 DIP,PGA SDIP,PLCC,BGA QFP QFP,CSP CSP,DCA 典型引线节距(mm) 2.54 1.27 0.63 0.33 0.15~0.050 引线节距的发展趋势 封装技术与封装材料 例：陶瓷封装与塑料封装均可制作DIP与BGA类芯片，但两类芯片的可靠性和成本不同。 封装形态、封装工艺、封装材料由产品的电特性、导热性能、可靠性需求、材料工艺技术和成本价格等因素决定。封装形态与封装工艺技术、封装材料之间不是一一对应关系。 封装材料 芯片封装所采用的材料主要包括金属、陶瓷、高分子聚合物材料等。 问题：如何进行材料选择？ 依据材料的电热性质、热-机械可靠性、技术和工艺成熟度、材料成本和供应等因素。 表1.2-表1.4 介电系数：表征材料绝缘程度的比例常数，相对值，通常介电系数大于1的材料通常认为是绝缘材料。 热膨胀系数（CTE Coefficient of expansion ） 物体由于温度改变而有胀缩现象，等压条件下，单位温度变所导致的体积变化，即热膨胀系数表示。 介电强度：是一种材料作为绝缘体时的电强度的量度。定义为试样被击穿时， 单位厚度承受的最大电压。物质的介电强度越大， 它作为绝缘体的质量越好。 封装材料性能参数 微电子封装技术发展的驱动力 一、IC发展对微电子封装的推动 IC发展水平的标志：集成度和特征尺寸 IC发展方向：大芯片尺寸、高集成度、小特征尺寸和高I/O数。 二、电子整机发展对微电子封装的拉动 电子整机的高性能、多功能、小型化和便携化、低成本、高可靠性要求促使微电子封装由插装向贴装发展，并持续向薄型、超薄型、窄节距发展，进一步由窄节距四边引脚向面阵列引脚发展。 微电子封装技术发展的驱动力 三、市场发展对微电子封装的驱动 “吞金业”向“产金业”转变 产品性价比要求不断提升、电子产品更新加速剧烈 电子产品更新加速剧烈 驱动微电子封装技术发展的是整个微电子技术产业 一、芯片尺寸越来越大： 片上功能的增加，实现芯片系统。 二、工作频率越来越高 运算速度的提高，提高了对封装技术的要求。 三、发热量日趋增大 途径：降低电源电压；增加散热通道（成本与重量） 四、引脚数越来越多 造成单边引脚间距缩短。 微电子封装的发展趋势-IC发展趋势 一、封装尺寸小型化（更轻和更薄） 超小型芯片封装形式的出现顺应了电子产品的轻薄短小的发展趋势。 解决办法：新型封装型式和微纳技术的采用。获得芯片尺寸的最小化：IC芯片尺寸最小化？ 圆片级封装技术（WLP）：使封装完成后的IC芯片尺寸尽可能接近圆片级裸芯片尺寸， 微电子技术发展对封装的要求 二、适应更高得散热和电性能要求