单相全桥逆变电路要点详解.ppt

单相全桥逆变电路讲解 首先介绍学习硬件电路的重要性和必要性 重要性：找工作面试、考研面试和在以后工作中都是很好的基础，起到良好的作用。 以此为基点，展开，引用李泽元老师的话：“现在知识面很宽很大，不可能面面具到，且搞的人很多，要找一个自已感兴趣的点，深入研究，动手实践做实验，在实验中发现问题和解决问题，然后再扩展。” 首先介绍学习硬件电路的重要性和必要性 必要性：这个电路的选取有代表性，由于桥式逆变电源在选择功率开关器件耐压要求可以稍低，并有较高的功率输出，现通常采用全桥式逆变电路来实现较大功率输出。单相三相全桥逆变电路应用范围广（各种开关电源如电源车载电源、航空电源、电信电源等；各种电机调速如空调、电焊机等；变频器；牵引传动等领域）。 整体安排 一、基础知识讲解（计划两至三个半天） 开关管（MOSFET和IGBT）知识、电阻 电容等基本知识、芯片 管脚功能（IR2110 、 SG3525、LM339、 MUR8100 、IRFP450 ） 主电路、控制电路的工作原理、参数的确定 整体安排 二、PROTEL介绍 、原理图绘制（计划三个半天） 两个图，主电路和控制电路（各1.5个半天） 初步认识元器件封装，画原理图尽量选正确的封装 三、 生成PCB、手动布线（计划两个半天） 两个PCB图，主电路和控制电路（各一个半天） 认真核对元器件封装，检查PCB的各种规则 整体安排 四、焊板调试 （计划两个半天） PCB画好后，制板需要一周左右的时间，可休息） 在同学画的板当中选一个PCB去腐蚀 调试需要两个半天或更长时间，调好为止，完成后将自已的作品带走。 以上时间可随工作进展情况调节 基础知识介绍 （晶闸管） 晶闸管:只能控制开，不能控制关 基础知识介绍 （晶闸管） 基础知识介绍 （MOSFET） MOSFET:可控开，可控关 什么是MOSFET　　“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。 基础知识介绍 （MOSFET） MOSFET的结构 基础知识介绍 （MOSFET） MOSFET体内电容和二极管 基础知识介绍 （MOSFET） 为什么要在MOS管前串接一个电阻?有什么作用? MOS导通瞬间,由于D、S近似短路,G、D间电容可看作变成G、S间电容,G极驱动电路立刻对其进行充电,这样就产生了驱动电压振荡现象.为了防止MOSFET产生震荡而串接的,一般情况下阻值较小, 过高的振荡有可能击穿G,S间的氧化层.也可以接一个稳压管防止产生振荡 基础知识介绍 （MOSFET） 为什么MOSFET G-S之间往往并联一个电阻,这个电阻选择依据什么? 这个电阻的主要作用是防止静电损坏MOS，静电损伤是因为GS之间结电容太小导致(U=Q/C)也就是即使有很小的静电电荷就有可能产生很大的电压, 使的MOSFET损坏，这个电阻提供寄生电容电荷泻放通道 ，这个电阻是需要的，并且很重要 。 一般情况，取个10k或5.1K已能适应大部分情况 基础知识介绍 （IGBT） IGBT:可控开，可控关 基础知识介绍 （IGBT） IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，（输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管 ） GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大; MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，即：驱动功率小和开关速度快,且饱和压降低和容量大的优点 。 基础知识介绍 （IGBT） IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同 IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。 非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件 基础知识介绍 （电阻） 电阻：导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、kΩ、MΩ表示。 电阻器的分类 一种分类:固定电阻器（R）、电位器（W）、敏感电阻器、贴片电阻器 基础知识介绍 （电阻） 另一种分类如下： 1、线绕电阻器：