电子科大《集成电路工艺》第一章摘要.ppt

* 半导体的研究可以追溯到19世纪，众多优秀的科学家的智慧结晶促成了1947年12月3日，贝尔实验室的威廉姆·肖克莱（William Shockley）、沃特·巴丁（Walter BraTtain）、约翰·布拉顿（John Bardeen）发明了点触型晶体管。当蒂尔（G.K.Teal）和利特尔（J.B.Little）研究成功生长大单晶锗的工艺后，肖克莱于1950年4月制成第一个结型晶体管——这种晶体管实际应用比点接触型晶体管广泛得多，从此开辟了电子技术的新纪元。 * 1958年，仙童公司Robert Noyce(罗伯特.诺依斯)与德仪公司Jack Kilby（杰克.基尔比）间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史。 1961年4月25日，第一个晶体管电路专利被授予了前者：Robert Noyce。 1990年罗伯特.诺依斯去世。仙童半导体公司(Fairchild Semiconductor)。但诺贝尔奖传统上不授予已亡故的科学家 * 1958年，仙童公司Robert Noyce(罗伯特.诺依斯)与德仪公司Jack Kilby（杰克.基尔比）间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史。 1961年4月25日，第一个晶体管电路专利被授予了前者：Robert Noyce。 1990年罗伯特.诺依斯去世。仙童半导体公司(Fairchild Semiconductor)。但诺贝尔奖传统上不授予已亡故的科学家 * Wanlass弗朗克·万拉斯 * 双极集成电路：主要由双极晶体管构成 NPN型双极集成电路 PNP型双极集成电路 金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路：主要由MOS晶体管(单极晶体管)构成 NMOS PMOS CMOS(互补MOS) 双极-MOS(BiMOS)集成电路：同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为BiMOS集成电路，综合了双极和MOS器件两者的优点，但制作工艺复杂MOS（金属-氧化物-半导体），Bipolar（双极晶体管） 数字集成电路(Digital IC)：它是指处理数字信号的集成电路，即采用二进制方式进行数字计算和逻辑函数运算的一类集成电路 模拟集成电路(Analog IC)：它是指处理模拟信号(连续变化的信号)的集成电路 线性集成电路：又叫做放大集成电路，如运算放大器、电压比较器、跟随器等 非线性集成电路：如振荡器、定时器等电路 数模混合集成电路() ：例如数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等 * Gigantic Scale * GSI：巨大规模。 * 一座32nm晶圓廠所需的費用為40億美元，而兩年後又必須轉入22nm，而這一升級費用同樣驚人，沒10億美元下不來。ASIC之所以成本高昂，很大一部分原因是因为它具有很多非重复性工程（Non-Recurring Engineering；NRE）成本，其中又以光罩（Mask）成本为最。目前，而这还不是最要命的。最要命的是现在的每颗芯片，差不多都需要5至9层光罩才能完成。当然，芯片在量产之后由于产量巨大，因此可以摊薄成本，依上述光罩费用计算，如果至少量产1万颗芯片，那么采用130nm工艺的单颗芯片成本会下降到39美 元，90nm要170美元，65nm要260美元，45nm则要500美元以上。很明显，即使首次量产(first silicon to production)就成功，这样高额的花费也不是中小业者所能承受得起，更何况首次量产的成功率本就不是很高。 项目晶圆就是将多个具有相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，流片后，每个设计品种可以得到数十片芯片样品，这一数量对于设计开发阶段的实验、测试已经足够。而实验费用就由所有参加MPW的项目按照芯片面积分摊。实际成本仅为原来的5%-10%，极大地降低了培养集成电路研发阶段的费用门槛，也为集成电路设计师的大胆创新提供了一个宽松的设计环境，有效地推动了集成电路的发展。 * 1．IC制造商（IDM）自行设计，由自己的生产线加工、封装，测试后的成品芯片自行销售。　　2．（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式。设计公司将所设计芯片最终的物理版图交给Foundry加工制造，同样，封装测试也委托专业厂家完成，最后的成品芯片作为IC设计公司的产品而自行销售。打个比方，Fabless相当于作者和出版商，而Foundry相当于印刷厂，起到产业“龙头”作用的应该是前者 ARM更是为天下先，12年前首创了chipless的生产模式，即该公司。 Advanced RISC Machine ARM的全称。英国先进RISC机器公司(fab-lite（半导体制造商则为所谓专业代工厂商(Fundry) ,专业代工厂商并无自有产品,厂商本身着重於半导体制程技术之研发,纯粹帮IDM 厂