半导体基础R解读.ppt

第 1 章 常用半导体器件 第 2 章 基本放大电路 第 3 章 多级放大电路 第 4 章 集成运算放大电路（简单介绍） 第 5 章 放大电路的频率响应 第 6 章 放大电路中的反馈 第 7 章 信号的运算和处理 第 8 章 波形的产生和信号的转换 第 9 章 功率放大电路 第10章 直流电源 模电课程的主要内容 第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 第一章 常用半导体器件 内容提要 本章介绍了半导体的基本知识，然后阐述了三种常用半导体器件：半导体二极管、晶体管和场效应管的工作原理和基本特性。本着“管为路用”的原则，在了解其基本原理的基础上，重点掌握它们的外特性—基本应用。 1.1 半导体基础知识 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属 一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。 1.1.1 本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 一、半导体 导电特性处于导体（低价元素构成）和绝缘体（高价元素构成）之间，称为半导体，如锗、硅等，均为四价元素。 价电子共有化，形成共价键的晶格结构 共价键 价电子 1.1.1 本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 一、半导体 二、本征半导体的导电情况 金属导电是由于其内部有自由电子存在(载流子), 在外电场的作用下,自由电子定向移动,形成电流。 半导体中有两种载流子:自由电子和空穴 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 带正电的空穴 带负电的自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 在一定温度下电子 - 空穴对的产生和复合达到动态平衡。 在本征半导体中，两种载流子总是成对出现称为 电子 – 空穴对，两种载流子浓度相等。 本征载流子的浓度对温度十分敏感 电子-空穴对 在外电场作用下，电子的定向移动形成电流 + + + + + + + + - - - - - - - - 在外电场作用下，空穴的定向移动形成电流 + + + + + + + + - - - - - - - - 1.本征半导体中载流子为电子和空穴; 2.电子和空穴成对出现,浓度相等; 3.由于热激发可产生电子和空穴,因此半导 体的导电性和温度有关,对温度很敏感。 1.1.2 杂质半导体 一、N型半导体 +5 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。 多数载流子 少数载流子 电子----多子 空穴----少子 施主原子 1.1.2 杂质半导体 二、P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。 +3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空位 在这种杂质半导体中，空穴的浓度远高于自由电子的浓度。 +3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 多数载流子 受主原子 少数载流子 在杂质半导体中： 杂质浓度不应破坏半导体的晶体结构; 多数载流子的浓度主要取决于掺入杂质的浓度； 而少数载流子的浓度主要取决于温度。 杂质半导体的优点： 掺入不同性质、不同浓度的杂质，并使P型半导体和N型半导体以不同方式组合，可以制造出形形色色、品种繁多、用途各异的半导体器件。 总结 1.1.3 PN结 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。PN结具有单向导电性。 一、PN结的形成 P区 N区 一、PN结的形成 在交界面，由于两种载流子的浓度差，出 现扩散运动。 空间电荷区 耗尽层 内电场 在交界面，由于扩散运动,经过复合,出现空 间电荷区 一、PN结的形成 当扩散电流等于漂移电流时，达到动态 平衡，形成PN结。 PN结 内电场 1.由于扩散运动形成空间电荷区和内电场; 2.内电场阻碍多子扩散，有利于少子漂移; 3.当扩散电流等于漂移电流时，达到动态 平衡，形成PN结。 二、PN结的单向导电性 1. PN结外加正向电压时处于导通状态 加正向电压是指PN结P端接电源正极，N端接电源负极，也称正向接法或正向偏置。 内电场 外电场 外电场抵消内电场的作用，使耗尽层变窄，形成较大的扩散电流。 加反