硅集成电路工艺基础8要点.ppt

对于金刚石或闪锌矿结构，(111)面的原子面密度比(100)面大，因而(111)面的腐蚀速度比(100)面的腐蚀速度小。经过腐蚀的Si膜结构如图： (a)采用SiO2层做为掩模对(100)晶向的硅进行腐蚀，可以得到V形的沟槽结构。如果SiO2上的图形窗口很大，或者腐蚀的时间比较短，可以形成U形的沟槽。 (b)如果被腐蚀的是(110)晶向的硅片，则会形成基本为直壁的沟槽，沟槽的侧壁为(111)面。 晶向对腐蚀速率的影响 8.11.2、SiO2的湿法腐蚀 SiO2的湿法腐蚀可以使用氢氟酸(HF)做为腐蚀剂，其反应方程式为 在反应过程中，HF不断消耗，因此反应速率随时间的增加而降低。通常在腐蚀液中加入氟化氨作为缓冲剂，氟化氨分解产生HF，维持HF的恒定浓度。 在集成电路工艺中，除了需要对热氧化和CVD等方法制备的SiO2进行腐蚀外，还需要对磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)等进行腐蚀。因为组成成份不同，氢氟酸对这些SiO2的腐蚀速率也不一样，以热氧化方式生成的二氧化硅的腐蚀速率最慢。 Si3N4可以使用加热的磷酸(130～150℃)来进行腐蚀。 8.11.3、Si3N4的湿法腐蚀 8.12、干法刻蚀技术 干法刻蚀：利用等离子体激活的化学反应或者是利用高能离子束轰击去除物质的方法。 8.12.1、干法刻蚀的原理 干法刻蚀特点： 各向异性，纵向的刻蚀速率远大于横向的刻蚀速率； 离子对光刻胶和无保护的薄膜同时进行刻蚀，选择性比湿法腐蚀差。 等离子体刻蚀：利用辉光放电产生的活性粒子与需要刻蚀的材料发生化学反应形成挥发性产物完成刻蚀。 具有比较好的选择性，各向异性相对较差。 溅射刻蚀：高能离子轰击需要刻蚀的材料表面，通过溅射的物理过程完成刻蚀。 具有比较好的各向异性，但选择性相对较差。 反应离子刻蚀(RIE) ：介于溅射刻蚀与等离子刻蚀之间的刻蚀技术，同时利用了物理溅射和化学反应的刻蚀机制。 可以灵活地选取工作条件以求获得最佳的刻蚀效果，同时具有较好的选择性和各向异性。 目前，在集成电路工艺中广泛使用的是反应离子刻蚀技术。 干法刻蚀的分类 8.12.2、二氧化硅和硅的干法刻蚀 在ULSI工艺中对二氧化硅的刻蚀通常是在含有氟化碳的等离子体中进行。早期刻蚀使用的气体为四氟化碳(CF4)，现在使用比较广泛的反应气体有CHF3，C2F6，SF6和C2F8，其目的都是用来提供碳原子及氟原子与SiO2进行反应。 CF4的反应为： 使用CF4对SiO2进行刻蚀时，刻蚀完SiO2之后，会继续对硅进行刻蚀。 为了解决这一问题，在CF4等离子体中通常加入一些附加的气体成份，这些附加的气体成份可以影响刻蚀速度、刻蚀的选择性、均匀性和刻蚀后图形边缘的剖面效果。 在使用CF4对硅和SiO2进行等离子刻蚀时，氟与SiO2反应的同时，还与CFx原子团(x≤3)结合而消耗掉，造成氟原子的稳态浓度比较低，刻蚀速率较慢。 如果加入适量的氧气，氧气也同样被电离，氧可与CFx原子团反应，造成CFx原子团耗尽，减少了氟原子的消耗，使F/C原子比增加，加快SiO2刻蚀速度。 在氧组分达到临界值之后，继续增加氧的组分，由于氟原子浓度被氧冲淡，刻蚀速度下降。 刻蚀硅时，临界氧组分只有12%，氧组分继续增加，刻蚀速率下降比SiO2更快。这是由于氧原子倾向于吸附在Si的表面上，阻挡了氟原子加入反应。随着更多氧的吸附，对Si的刻蚀影响加剧。 加入适量的氧气 在CF4等离子体中加入氢气，随氢组分增加： 加入适量的氢气 SiO2的刻蚀速度缓慢减小，持续到氢的组分达到40%； Si的刻蚀速度迅速减小，当氢的组分大于40%时，对Si的刻蚀停止。 在CF4等离子体中加入适量的氢气，可以增强SiO2/Si刻蚀的选择性。 如果F/C比较高(添加氧气)，其影响倾向于加快刻蚀。 如果F/C比较低(添加氢气)，刻蚀速度减慢，倾向于形成高分子聚合物薄膜。 在CF4等离子体中添加气体成份，影响等离子体内F/C原子比。 目前集成电路的干法刻蚀工艺中，通常CHF3等离子体进行SiO2的刻蚀，加入少量氧来提高刻蚀速度。 8.12.3、Si3N4的干法刻蚀 在ULSI工艺中，Si3N4的用途主要有两种： 一是通过LPCVD淀积Si3N4，做为氧化或扩散的掩蔽层，不成为器件的组成部分。可以采用CF4等离子刻蚀。 另一种是通过PECVD淀积Si3N4做为器件保护层。这层Si3N4在经过光刻和干法刻蚀之后， Si3N4下面的金属化层露出来，形成器件的压焊点，然后进行测试和封装。可以采用CF4-O2等离子体进行刻蚀。 实际上用于刻蚀SiO2的方法，都可以用来刻蚀Si3N