第四章光电检测重点解析.ppt

* Led的伏安曲线与普通二极管的伏安曲线相似，电压小于启亮电压时无电流，电压超过启亮点是，正向电流与电压的关系为：。。。 深能级在半导体禁带中，能级位置距离导带或价带边缘较远的，也即位于禁带中央杂质或缺陷的能级。 * 2 用于逻辑门电路 利用光电耦合器件可以构成各种逻辑电路，图中所示为两个光电耦合器组成的与门电路，如果在输入端Ui1和Ui2同时输入高电平1，则两个发光二极管GD1和GD2都发光，两个光敏三极管TD1和TD2都导通，输出端就呈现高电平“1”。若输入端Ui1或Ui2中 有一个为低电平“0”，则输出光电三极管中必有一个不导通，使得输出信号为“0”，故为与门逻辑电路，Uo= Ui1· Ui2。 光电耦合器件还可以构成与非、或、或非、异或等逻辑电路。 光电耦合器件 * 如图所示典型应用电路中左侧的输入电路电源为13.5V的HTL逻辑电路，中间的中央运算器、处理器等电路为+5V电源，后边的输出部分依然为抗干扰特性高的HTL电路。将这些电源与逻辑电平不同的部分耦合起来需要采用光电耦合器。 输入信号经光电耦合器送至中央运算、处理部分的TTL电路，TTL电路的输出又通过光电耦合器送到抗干扰能力高的HTL电路，光电耦合器成了TTL和HTL两种电路的媒介。 光电耦合器件 *  3 隔离方面的应用 有时为隔离干扰，或者为使高压电路与低压信号分开，可采用光电耦合器。右图所示电路中表明了光电耦合器件的又一个重要的功能，即隔离功能。 在电子计算机与外围设备相连的情况下，会出现感应噪声、接地回路噪声等问题。为了使输入、输出设备及长线传输设备等外围设备的各种干扰不窜入计算机，以便提高计算机工作的可靠性，亦采用光电耦合器把计算机与外围设备隔离开来。 光电耦合器件 * 4 可控硅控制电路中的应用 可控硅整流器，或SCR，是一种很普通的单向低压控制高压的器件，可以将其用于光触发的形式。同样，双向可控硅是由一种很普通的SCR发展改进的器件，它也可用于光触发形式。将一只SCR和一只LED密封在一个封装中，就可以构成一只光耦合的SCR；而将一只双向可控硅和一只LED密封在一个封装中就可以制成一只光耦合的双向可控硅。 光电耦合器件 * 代替脉冲变压器耦合从零到几兆赫兹的信号，失真小； 代替继电器使用，做光电开关用； 把不同电位的两组电路互连，完成电平匹配和电平转移； 作为计算机主机与输入／输出端的接口，大大提高计算机的可靠性； 在稳压电源中作为过流保护器件，简单可靠。 三. 光电耦合器件的应用 光电耦合器件 第四章 发光、耦合和成像器件 发光二极管 半导体激光器 光电耦合器件 CCD CCD是一种电荷耦合器件(Charge Coupled Device) CCD的突出特点：是以电荷作为信号，而不同于其它大多数器件是以电流或者电压为信号。 CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。 CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测。 4-4 CCD * CCD 电荷存储 电荷转移 电荷注入 电荷输出 一. CCD的结构与工作原理 CCD * 1) CCD单元结构 由多个像素组成线阵,金属栅极是分立的，氧化物与半导体是连续的 MOS结构 单元－像素 P CCD * 基本名词： 势 阱 势 阱 施加正电压 空穴耗尽区 电子的“陷阱” CCD * 基本名词： 势 阱 栅极正向电压增加时，势阱变深。 －－改变UG，调节势阱深度 CCD * 2)电荷包的注入 （光注入、电注入） 光注入： 电子 －－信号电荷（包） 产生电子－空穴对 空穴 －－栅极电压排斥 CCD * 3)电荷包的存储 存储电荷 单元最大存储信息电荷量： CCD * 4)电荷包的转移 基本思想： －－调节势阱深度 －－利用势阱耦合 势阱耦合 CCD * 三相时钟脉冲电压按组（相）加到CCD各电极上 * 5)电荷包的输出 电流输出方式 ： 衬底P和N+区构成输出二极管（反偏压） 反偏二极管 CCD * 5)电荷包的输出 电流输出方式 ： 衬底P和N+区构成输出二极管（反偏压） 复位脉冲RS 10－2V 5V CCD * CCD 电荷存储 电荷转移 电荷注入 电荷输出 CCD的结构与工作原理小结 CCD * 为什么称为电荷耦合器件？ 电荷－－器件中的信息是以电荷形式出现的，不同于其他探测器的“电流”或“电压” 耦合－－器件内部信息的传递是通过势阱的耦合完成的，完全不同于电子枪的“扫描输出”形式 CCD * 体积小，功耗低，可靠性高，寿命长。 空间分辨率高，可以获得很高的定位精度和测量精度。 光电灵敏度高，动态范围大，红外敏感性强，信噪比高 。 高速扫描，基本