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第一章 功率半导体器件 第一章 功率半导体器件 第一章 功率半导体器件 内部结构：四层（P-N-P-N） 三端（A。K。G） 第一章 功率半导体器件 二、晶闸管的工作原理 正向阻断，反向阻断。 1、 导通条件：1.晶闸管的阳极—阴极之间加正向电压；2. 门极加正向电压，使足够的门极电流Ig流入。 关断条件：阳极电流小于维持电流IH以下并经过一段时间。 第一章 功率半导体器件 2、 内部物理过程： 晶体管的集电极电流为另一名晶体管的基极电流 形成正反馈。 第一章 功率半导体器件 晶闸管的阳极电流应为: 第一章 功率半导体器件 (3)关断 Ia IH, α1、α2均下降， 第一章 功率半导体器件 §１-２晶闸管的特性 第一章 功率半导体器件 二. 晶闸管门极伏安特性 第一章 功率半导体器件 §１-３晶闸管的主要参数 第一章 功率半导体器件 二、通态平均电流（额定电流）IT(AV) 单相、工频、正弦半波、角度１７０° 第一章 功率半导体器件 三、通态平均电压（管压降）UT(AV) 通态平均电压∶ P.13 表1-5 第一章 功率半导体器件 六、门极触发电流ＩGT与门极触发电压ＵGT 对触发电路要求，随温度变化。 第一章 功率半导体器件 九、断态电压临界上升率 门极开路，使元件断通的最小电压上升 Uak UB0， IC相当于Ig 第一章 功率半导体器件 十一、晶闸管的型号 Ｐ----普通, Ｋ—快速型，Ｓ—双向型，Ｎ—逆导型，Ｇ—可关断，LTT —光控 KP[电流]─[电压/100][ 通态压降组别 ] KP500-12G 0.9V=UT(AV)=1.0V 第一章 功率半导体器件 §１-４大功率二极管 一、 大功率二极管的结构 第一章 功率半导体器件 第一章 功率半导体器件 三、大功率二极管的主要参数 １．额定电流 IF 正向平均电流，与晶体管相同。 ２．额定电压 URRM 反向重复峰值电压 ３．反向漏电流 反向不重复峰值电流IRS，反向重复平均电流IRR ４．正向平均电压UF 第一章 功率半导体器件 五、分类 １．普通二极管 ２．快恢复二极管 开通特性 关断特性 3．肖特基二极管 第一章 功率半导体器件 电力半导体器件是电力电子技术的核心、基础，是发展的龙头。器件特性的每一次发展，都会引起变换电路的相应突破，产生一系列新的装置。 第一章 功率半导体器件 第一章 功率半导体器件 第一章 功率半导体器件 * 浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- * §１.１ 晶闸管的结构和工作原理 一、晶闸管的结构 结构: 分为管芯及散热器两大部分。 方式: 分为螺栓型与平板型两种。 螺栓型：散热效果差，用于２００Ａ以下容量的元件； 平板型：散热效果好，用于２００Ａ以上的元件 当α1+α2=1时，Ig=0 导通后，Ig无影响 元件关断 一.??晶闸管的阳极伏安特性 理想特性 实际特性 ①???? 正向阻断高阻区; ②???? 负阻区; ③???? 正向导通低阻区; ④ 反向阻断高阻区 　IGFM　：门极正向峰电流 　UGFM：门极正向峰电压 　PGM　：门极峰值功率 　PG：门极平均功率 确保触发：Ig IGT, Ug UGT 加反压 10Ｖ，防止误触发 分散性 采用区域表示法 参照国家标准GB290032-92国电公司术语和GB4940-85普通晶闸管对主要参数做一介绍 一、额定电压UR 正反向重复峰值电压 UDRM = 0.8UDSM，URRM = 0.8 URSM 取UDRM和URRM中较小值，取整 1000V以下（100V一个等级），1000-3000V（200V一个等级） IT(AV)= I = Ｋf＝Ｉ/ IT(AV) =π/2 = 1.57 选择元件：有效电流 整流输出：平均电流 从平均电流找出相应波形的有效电流以保证不过热。 四、维持电流ＩH 几十mA，结温↑IH↓(难关断) 五、擎住电流ＩL 开通过程中