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第二章 IC制造材料结构与理论 2.1 了解集成电路材料 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结与结型二极管 2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 2.5 MOS晶体管基本结构与工作原理 半导体材料在集成电路的制造中起着根本性的作用 掺入杂质可改变电导率/热敏效应/光电效应 硅，砷化镓和磷化铟是最基本的三种半导体材料 2.1.1 硅 (Si) 基于硅的多种工艺技术： 双极型晶体管（BJT） 结型场效应管（J-FET） P型、N型MOS场效应管 双极 CMOS（BiCMOS） 价格低廉，占领了90％的 IC市场 6inch:$400(GaAs); $25(Si) 2.1.2 砷化镓 (GaAs) 能工作在超高速超高频，其原因在于这些材料具有更高的载流子迁移率，和近乎半绝缘的电阻率 GaAs的优点: fT可达150GHz/可制作发光器件/工作在更高的温度/更好的抗辐射性能 GaAs IC 的三种有源器件: MESFET, HEMT 和 HBT 2.1.3 磷化铟 (InP) 能工作在超高速超高频 三种有源器件: MESFET, HEMT和HBT 广泛应用于光纤通信系统中 覆盖了玻璃光纤的最小色散（1.3um）和最小衰减（1.55um）的两个窗口 2