模拟电子技术基础(第四版)第四章童诗白主编要点详解.pptVIP

若?=10，则IC1=0.982IR，保持了很好的镜像关系。 有时加电阻Re2，增大T2的电流，以增加?值。此时： 在B点： 例4.2.1 电路如图。这是运放F007的一部分，其中T10和T11为纵向NPN管，T12与T13是横向PNP管，它们的?值均为 5，UBEQ=0.7V。试求出各管的集电极电流。 解：显然， T10和T11构成微电流源，T12与T13构成镜像电流源，基准电流为IR。 ⑵动态时，加入差模信号?uI， 4.3　集成运放电路简介 典型的集成运放 双极型集成运放 F007 CMOS 集成运放 C14573 一、引脚 4.3.1　双极型集成运放 F007 　F007 的引脚及连接示意图 1 2 3 4 8 7 6 5 输入级 偏置电路 中间级 输出级 图 4.3.1　F007 电路原理图 1. 偏置电路 +VCC T8 -VCC T9 T12 T13 T10 T11 R4 R5 I8 I3,4 IC9 IC10 IREF IC13 至输入级 至中间级 基准电流： 　　基准电流产生各放大级所需的偏置电流。 各路偏置电流的关系： IREF IC11 IC10 I3, 4 IC9 IC8 IC12 IC13 微电流源 镜像电流源 输入级 镜像电流源 中间级 输出级 图 4.3.1-1　F007 的偏置电路 2. 输入级 　　T1、T2、T3、T4 组成共集 - 共基差分放大电路；T1、T2 基极接收差分输入信号。 T5、T6 有源负载； T4 集电极送出单端输出信号至中间级。 uO RW 调零电阻，R 外接电阻。 T7 与R2 组成射极输出器。 +VCC -VEE T6 R1 I3,4 IC10 IC9 R2 R3 R RW T4 T2 T7 T5 T3 T1 T8 T9 图 4. 3. 1-2 uI2 uI1 若暂不考虑 T7 和调零电路则电路可简化为： +VCC -VEE I3,4 T4 T2 T3 T1 I8 RC RC uI1 uI2 uO 　　(1). T1、T2 共集组态，具有较高的差模输入电阻和共模输入电压。 　　(2). 共基组态的 T3、T4，与有源负载 T5、T6 组合，可以得到很高的电压放大倍数。 　　(3). T3、T4 共基接法能改善频率响应。 　　(4). 该电路具有共模负反馈，能减小温漂，提高共模抑制比。 图 4.3.1.2 简化示意图 3. 中间级 图 4.3.1-3　中间级示意图 +VCC -VEE T15 T16 IC13 R7 ? T17 R8 30pF ? 　　输入来自 T4 和 T6集电极； 　　输出接在输出级的两个互补对称放大管的基极。 　　中间级 T16、 T17 组成复合管， T13 作为其有源负载。 　　8、9两端外接30pF 校正电容防止产生自激振荡。 4. 输出级 IC13 R8 uo +VCC -VEE T14 uI D1 R9 R10 T19 T18 R7 T15 D2 图 4.3.1-4　F007 输出级原理电路 　　T14、 T18 、T19 准互补对称电路； 　　D1、 D2 、R9、R10 过载保护电路； 　　T15 、R7、R8 为功率管提供静态基流。 　　调节 R7、R8 阻值可调节两个功率管之间的电压差。这种电路称为 UBE 倍增电路。 4.4　集成运放的性能指标及低频等效电路 一、开环差模电压增益 Aod 一般用对数表示，定义为 单位：分贝 理想情况 Aod 为无穷大； 实际情况 Aod 为 100 ~ 140 dB。 4.4.1集成运放的主要性能指标 二、输入失调电压 UIO 三、输入失调电压温漂 ?UIO 定义： 　　　为了使输出电压为零，在输入端所需要加的补偿电压。 一般运放：UIO 为 1 ~ 10 mV； 高质量运放：UIO 为 1 mV 以下。 定义： 一般运放为 每度 10 ~ 20 ?V； 高质量运放低于每度 0.5 ?V 以下； 四、输入失调电流 IIO 五、输入失调电流温漂 ?IIO 　　　　　当输出电压等于零时，两个输入端偏置电流之差，即 定义： 一般运放为 几十 ~ 一百纳安；高质量的低于 1 nA。 定义： 一般运放为 每度几纳安；高质量的每度几十皮安。 六、输入偏置电流 IIB 七、差模输入电阻 rid 八、共模抑制比 KCMR 定义： 　　　　　输出电压等于零时，两个输入端偏置电流的平均值。 定义： 一般集成运放为几兆欧。 定义： 多数集成运放在 80 dB 以上，高质量的可达 160 dB。 九、最大共模输入电压 UIcm 输入端所能承受的最大共模电压。 十、最大差模输入电压 UIdm 反