2.CMOS电路设计基础教程讲解.pptVIP

2.1 晶体管知识简介 代替体积大、功率消耗大的电子管 电子管： 晶体管的发明 晶体管： 体积小，功耗低，成本低，能大规模生产 晶体管的发明 该晶体管不太好做成产品，一个锗片上放着金属丝，结构比较复杂 同一年，肖克莱利用平面工艺的方法，就是说在硅平面上用扩散、掩膜等方法，也做成一个同样性能的晶体管，实现了晶体管大规模生产 晶体管的发明 晶体管被取名为trans-resister (转换电阻)，后来缩写为transistor 1956年，肖克莱、巴丁、布拉顿三人因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖。 晶体管和电子管比较 ①晶体管的构件是没有消耗的。电子管，会因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。 ②晶体管消耗电能极少，仅为电子管的十分之一或几十分之一 ③晶体管不需预热，一开机就工作。电子管开机后，非得等一会儿才听得到声音，看得到画面 晶体管和电子管比较 ④晶体管结实可靠，比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。 ⑤另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。 2. 晶体管的分类 按半导体材料：硅、锗 按极性：NPN, PNP 按结构及制造工艺：扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管 双极型晶体管，场效应管 2.2 MOS晶体管开关 CMOS简介 MOS晶体管(金属-氧化物-半导体场效应管)是构成CMOS电路的基本元件，可分为NMOS和PMOS晶体管两种。 NMOS晶体管和PMOS晶体管组合在一起，两者互为补充，构成互补MOS(CMOS)。其实CMOS是芯片的一种制作工艺。 2.2 MOS晶体管开关 NMOS NMOS晶体管由埋在P型衬底中的N型漏区和源区构成。源、漏之间的电流是由通过源极和漏极之间的N型导电沟道中的电子形成的。 2.2 MOS晶体管开关 PMOS PMOS晶体管由埋在N型衬底中的P型漏区和源区构成。源、漏之间的电流是由通过源极和漏极之间的P型导电沟道中的电子形成的。 CMOS结构 2.2 MOS晶体管开关 CMOS简介 NMOS的衬底总是接逻辑“0”电平,当NMOS的栅极接逻辑“1”电平的时候，NMOS导通 PMOS的衬底总是接逻辑“1”电平,当栅极接逻辑“0”电平的时候，PMOS导通 NMOS晶体管的栅极看起来像是“1”，而PMOS晶体管的栅极看起来像是“0” 2.2 MOS晶体管开关 2.2.1独立晶体管开关 NMOS晶体管和PMOS晶体管可以看做是一个压控式开关，栅极上所加的电压控制晶体管的“开”或者是“关”。 2.2 MOS晶体管开关 当NMOS的栅极加逻辑“1”电平，开关“闭合”或者“导通”，源极和漏极被连接起来，如果传递高电平“1”，那么电压经过开关后会降一些。 通常用NMOS晶体管传递逻辑“0”电平，而用PMOS晶体管传递逻辑“1”电平。 NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。 两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。 对于这种简单的结构，器件源漏是完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。 沟道长L、沟道宽W 沟道长度L：为漏源之间栅的尺寸，一般其最小尺寸即为制造工艺中所给的特征尺寸（如0.25μm工艺即表示其沟道的最小长度为0.25μm左右） 沟道宽度W：为垂直于沟道长度方向的栅的尺寸 2.2 MOS晶体管开关 NMOS和PMOS的电阻模型 MOS管的W越宽，L越短，MOS的等效电阻越小，开关速度越快 MOS管的尺寸决定了开关速度 2.2 MOS晶体管开关 在设计版图的时候，晶体管的尺寸要与电路设计的晶体管的尺寸保持一致 在电路图中要把晶体管的尺寸标注出来 晶体管的尺寸包括长度和宽度 在电路图中晶体管的长度是可以省略不标的。 2.2 MOS晶体管开关 2.3 基本的CMOS逻辑 反相器 与非门 或非门 传输门 2.3.2 CMOS与非门　　当所有给定条件中至少有一个条件不满足时，结果才能出现，这种逻辑关系就是“与非”逻辑关系，实现“与非”逻辑关系的门电路就叫做与非门(NAND Gate)。 与非门 当两个输入同时为“1”的时候，输出为“0”，这可以通过将两个NMOS晶体管串联来实现 当有一个输入为“0”的时候，输出为“1”，这可以通过将两个PMOS晶体管并联来实现 2.3.3 CMOS或非门　　当所给条件中的一个或一个以上被满足时，结果就不能实现，这种逻辑关系就是“或非”关系。或非门(NOR)就是实现“或非”