1-2三极管教程讲解.pptVIP

1.4 半导体三极管 1.4.1 三极管的结构 1.4.2 三极管的工作原理 1.4.3　 三极管的特性曲线 1.4.4 三极管的主要参数 1.4.5 三极管的小信号模型 1.4.1 三极管的结构 三极管又称为双极型晶体管，有多种分类方法: 按结构：NPN型和PNP型； 按功率大小：大、中、小功率管; 按所用半导体材料：硅管和锗管; 按照频率：高频管和低频管。 发射极E、基极B和集电极C：两块N型半导体中间夹一块P型半导体,三块半导体的电极引线。发射区、基区和集电区：这三块半导体。 相应半导体交界处形成了两个PN结： 发射结：发射区和基区交界处的PN结。 集电结：集电区和基区交界处的PN结。 PNP三极管与NPN三极管不同在于结构上中间是N型半导体，两边是P型半导体。 1.4.2 三极管的工作原理 1.共基极接法时三极管内部载流子的传输过程 三极管有三个电极：一个电极作为信号输入端，另一个电极作为信号输出端，剩下的电极是输入、输出回路的公共端。 根据公共端的不同，三极管电路有共基极、共发射极和共集电极三种组态。 要使三极管有放大作用，三极管的发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。 (1) 发射区向基区注入电子 发射结在正向偏置时，发射区中的多子(自由电子)通过发射结注入到基区，形成电子电流 ； 基区中的多子(空穴)通过发射结注入到发射区，形成空穴电流 。 因发射结为不对称结，发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度，所以 远远大于 。 (2)电子在基区中扩散与复合 发射区中的电子(多子)注入到基区后，便从发射结一侧向集电结方向扩散。 在扩散过程中又可能与基区中空穴复合，不过由于基区做得很薄，且掺杂浓度低，所以从发射区注入到基区的电子少部分与空穴复合掉，绝大部分到达集电结。 (3) 集电区收集电子 集电结上加的是反向偏置，在反向电压作用下，在基区中扩散到集电结边缘的电子顺利地漂移通过集电结，形成电流 。 同时，由于集电结是反向偏置，基区中少数载流子电子和集电区中少数载流子空穴在结电场作用下形成反向饱和电流，用 表示。 的大小取决于少数载流子的浓度，受温度影响很大。 (4) 电流分配关系 共基电流传输系数： 　　α的大小一般为0.99～0.995。 　　发射极电流为： 　　 　　集电极电流为： α近似为常数，　与　成正比。　的改变控制了　 的变化，所以三极管是一种电流控制器件。 而基极电流　与　 的关系为： 2.共射接法时三极管的电流控制关系 　　三极管上所加电压　　　　　　　　，从而保证三极管发射结正偏，集电结反偏。 令： 式中β称为共发射极电流放大系数，其值一般为几十～几百。 得到： 令： 　　　　　称为集电极—发射极间的反向饱和电流或称为穿透电流。 可得： 当 　　较小可忽略时： 　　的改变控制了　　的变化，也体现了三极管的电流控制功能。 1.4.3　三极管的特性曲线 共射组态三极管的输入特性： 当三极管接成共射组态时，以 为参变量，表示输入电流 和输入电压 之间关系的 共射组态三极管的输出特性： 以 为参变量，输出电流 和输出电压 之间关系的 1.输入特性曲线 （1） 时，加上正向电压， 和 的关系与二极管相似，呈指数关系。 （2） 增大，输入特性曲线向右移动。 （3） 时，集电结所加的反向电压已经能把这些电子中的绝大部分拉到集电极，所以 再增加， 不再明显减小。 2.输出特性曲线 输出特性曲线可分为四个区域：饱和区、放大区、截止区和击穿区。 (1) 饱和区 饱和区：三极管发射结正偏，集电结也正偏的工作状态。 在 较小时(约0.3V以下)，集电结正偏。随 增加，集电结正向电压减小，集电区电子注入基区而形成的集电极电流减小，结果是 上升。显然，在这个区域内， 已不再与 成比例关系，且 。 饱和压降:三极管自饱和区进入放大区时的电压 ，用