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标准检测体:可与现场被检金属作比较的标准金属检测体。标准检测体通常为正方形的A3钢,厚度为1mm,所采用的边长是接近开关检测面直径的2.5倍。 感辩头的直径应当小于被测体直径的1/4 对于非磁性材料,被测体的电导率越高,则灵敏度越高;被测体是磁性材料时,其磁导率将影响电涡流线圈的感抗,其磁滞损耗还将影响电涡流线圈的Q值。磁滞损耗大时,其灵敏度通常较高。 接近开关的安装方式: 齐平式(又称埋入型)的接近开关表面可与被安装的金属物件形成同一表面,不易被碰坏,但灵敏度较低; 非齐平式(非埋入安装型)的接近开关则需要把感应头露出一定高度,否则将降低灵敏度。 齐平式安装 非齐平式安装 响应频率f :按规定,在1秒的时间间隔内, 接近开关能够响应的动作循环的最大次数,重复频率大于该值时,接近开关无反应。 响应时间t :t =1/ f 。 当被检测物体在1s内掠过的个数超过接近开关的响应频率时,接近开关没有响应或出错。 输出状态:常开/常闭型接近开关 当无检测物体时,对常开型接近开关而言,由于接近开关内部的输出晶体管截止,所接的负载不工作(失电);当检测到物体时,内部的输出级NPN晶体管导通,负载得电工作。 对常闭型接近开关而言,当未检测到物体时,输出级的PNP晶体管与VCC导通状态,接地的负载得电工作;反之则负载失电。 NPN二线, NPN三线, NPN四线, PNP二线, PNP三线, PNP四线, DC二线,AC二线, AC五线(带继电器)等几种。 NPN三线制接近开关的接线 负载 负载 负载 负载 负载 导通压降:接近开关在导通状态时,开关内部的输出三极管集电极与发射极之间的电压降。 额定工作电流时,导通压降约为0.3V。 0.3V OUT端与GND端的压降Uces约为0.3V,流过KA的电流IKA=(VCC-0. 3)/RKA。若IKA大于KA的额定吸合电流,则KA能够可靠吸合。 a)三线制接近开关原理框图 b)NPN、OC门常开输出电路 c)NPN型接近开关的特性 设某一接近开关的最大阻性输出电流IKA=300mA,工作电压VCC=24V,求:最小负载电阻(最大负载) Rmin 。 解:Rmin=(VCC-0. 3)/IKA=(24-0.3)V/0.3A=79Ω。若负载为感性,应大于此值的一倍,工作电流减为50%以下,且应在感性负载两端并联续流二极管,反向接法,见下图。 灌电流 当被测物体未靠近接近开关时,UB=0,OC门的基极电流IB=0,OC门截止,OUT端为高阻态(接入负载后为接近电源电压的高电平);当被测体逐渐靠近,到达动作距离δmin时,OC门的输出端对地导通,OUT端对地为低电平(约0.3V)。 当被测物体逐渐远离 接近开关,到达复位距离 δmax时,OC门再次截止, KA失电。Δδ为接近 开关的动作滞差 (也称为“回差”)。 当金属工件从远处逐渐向接近开关靠近,到达δmin位置(5mm)时,开关动作,输出低电平。要想让它翻转回到高电平,则需要让工件倒退Δδ的距离,即:大于δmax的位置,7mm。Δδ大大超过抖动造成的倒退量,所以接近开关一旦动作,微小的干扰是无法让其复位的。 . 距离/mm ∞ 5.1 4.9 1.0 6.9 7.1 ∞ 电平状态 高电平 高电平 低电平 低电平 低电平 高电平 高电平 当金属工件从远处逐渐向接近开关靠近,输出先是处于低电平状态。到达δmin位置(2mm)时,开关动作,输出高电平。要想让它翻转回到低电平,则需要让工件倒退到δmax的位置,3mm。Δδ=1mm。 . 距离/mm ∞ 2.1 1.9 1.0 2.9 3.1 ∞ 电平状态 低电平 低电平 高电平 高电平 高电平 低电平 低电平 PNP型接近开关称为电流流出型开关,当被测物体未靠近接近开关时,PNP晶体管(OC门)截止,OUT端为高阻态(悬空),接了负载后,与地线等电位,负载两端没有电压差; 当被测物体逐渐靠近,到达动作距离δmin时,PNP型晶体管导通,输出端相当于接到电源Vcc,OUT端对地为高电平(约Vcc -0.3V)。(晶体管也称三极管) 1.请勿将电感接近开关置于0.02T以上的磁场环境下使用,以免造成误动作。 2.多个接近开关同时使用时,相互距离应大于2倍直径。 3.为了保证不损坏接近开关,请用户在接通电源前检查接线是否正确,负载电流不能超过额定工作电流。核定工作电压是否为额定值。 4 .接近开关连接电感性负载时,务必在感性负载两端并接续流二极管,以免损坏接近开关的输出级。 5.如果误将PNP接近开关按NPN接近开关接线,接近开关尾部的“动作指示灯”不会亮。 接线完成 开始接线 休 息
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