磁控溅射镀膜机技术报告.doc

圆柱形平面式磁控溅射靶的特点与设计原理 孙东明 摘要：介绍了一种根据矩形平面靶的结构原理设计圆柱形、平面式磁控溅射靶的方法．并对如何发挥圆柱形、平面式磁控溅射靶的优点进行了分析．关键词：磁控溅射；靶；真空镀膜中图分类号：TB79　　文章编号：1007-855X(2000)02-054-04 The Characteristic and Design Principle of the Target Which Has a CylinderShape and Working Method Indentical with Plane Target SUN Dong-ming(The Faculty of Mechanical and Electrical Engineering,Kunming University of Science and Technology,Kunming　650051，China) Abstract：This paper introduces a design method of the target which has a cylinder shape and working method indentical with plane target,and how to give free rein to its characteristicKey words:　vacuum coating;sputtering;vapor Deposition 1　磁控溅射技术 　　磁控溅射技术是70年代发展起来的一种新型溅射技术，目前已在科研和生产中实际应用．磁控溅射镀膜主要用于电子工业、磁性材料及记录介质、光学及光导通讯等，具有高速、低温、低损伤等优点．高速是指沉积速率快；低温和低损伤是指基片的温升低，损伤小． 2　磁控溅射镀膜原理与磁控溅射靶 2.1　磁控溅射镀膜原理　　磁控溅射镀膜原理是将磁控溅射靶放在真空室内，在阳极(真空室)和阴极靶(被沉积的材料)之间加上足够的直流电压，形成一定强度的静电场E．然后再在真空室内充入氩气，在静电场E的作用下，氩气电离并产生高能的氩离子A+r和二次电子e1．高能的A+r在电场E的作用下加速飞向溅射靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材表面发生溅射．在溅射粒子中，中性的靶原子(或分子)沉积在基片上形成薄膜(如图1所示)［1］．　　 图1　磁控溅射镀膜原理 　　由于磁场B的作用，一方面在阴极靶的周围，形成一个高密度的辉光等离子区，在该区域电离出大量的A+r来轰击靶的表面，溅射出大量的金属粒子向工件表面沉积；另一方面，二次电子e1在加速飞向靶表面的同时，受到磁场B的洛伦兹力作用，以摆线和螺旋线的复合形式在靶表面作圆周运动．随着碰撞次数的增加，电子e1的能量逐渐降低，传给基片的能量很小，故基片的温升较低．当溅射量达到一定程度后，靶表面的材料也就被消耗掉，形成拓宽的腐蚀环形凹状区［1］．2.2　磁控溅射靶在镀膜过程中的重要作用　　磁控溅射靶是真空磁控溅射镀膜的核心部件，它的重要作用主要表现在以下两个方面(1)对于大面积表面的镀膜，磁控溅射靶影响着膜层的均匀性与重复性；(2)当膜层材料为贵重金属时，靶的结构决定着靶材(形成薄膜的材料)，即该贵重金属的利用率． 3　常用的磁控溅射靶及其优缺点 3.1　矩形平面靶　　矩形平面靶的结构简图如图2所示［1］，磁场方向与靶面阴极平行，形成环形磁场，该磁场与电场E正交．当真空室内充入氩气后，便被电离放电，放电产生的A+r离子轰击阴极(靶)的表面．二次电子e1受磁场B的洛仑兹力作用，沿垂直于磁力线方向运动(如图3所示)．这些电子运动路径长，增加了气体分子磁撞的机会，使气体的电离几率增加，进而增大了溅射速率．　　 图2　矩形平面靶的结构 图3　靶表面由磁场构成的封闭环形跑道 矩形平面靶的特点是结构简单，通用性强，膜层均匀性与重复性好．但缺点是靶材的利用率低，一般约为20%［2］左右．当辉光区，即磁力线分布区域的靶材消耗到一定程度时，将形成条形凹坑，靶材体变薄，凹坑深度达到一定程度时，靶材就不能继续使用．3.2　同轴圆柱形磁控溅射靶　　同轴圆柱形磁控溅射靶如图4所示［2］，磁力线平行于靶表面，并与电场E正交．磁力线与靶表面封闭的空间就是约束电子运动的等离子区域．该区域为一环形空间，由图可以看出，同轴圆柱形磁控溅射靶有多个环形空间．　　同轴圆柱形磁控测射靶的优点是结构紧凑，靶材利用率较平面矩形靶高．但缺点是在溅射时，整个靶表面上为多个辉光环，不能形成连续的条形辉光，故在镀制大面积的膜层时，膜层表面的均匀性差，很难满足要求． 4　圆柱形、平面式磁控溅射靶的设计思路 4.1　原理　　把矩形平面磁控靶的结构原理应用到圆柱形磁控溅射靶中，设