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四、红外焦平面器件 红外焦平面器件（IRFPA）就是将CCD、CMOS技术引入红外波段所形成的新一代红外探测器，是现代红外成像系统的关键器件。IRFPA建立在材料、探测器阵列、微电子、互连、封装等多项技术基础之上。 1. IRFPA的工作条件 IRFPA通常工作于1～3μm、3～5μm和8～12μm的红外波段并多数探测300K背景中的目标。 典型的红外成像条件是在300K背景中探测温度变化为0.1K的目标。用普朗克定律计算的各个红外波段300K背景的光谱辐射光子密度： 波长/μm 1～3 3～5 8～12 300K背景辐射光子通量密度／光子／(cm2·s) ≈1012 ≈1016 ≈1017 光积分时间（饱和时间）／μs 106 102 10 对比度（300K背景）／（％） ≈10 ≈3 ≈1 随波长的变长，背景辐射的光子密度增加。 通常光子密度高于1013／cm2s的背景称为高背景条件，因此3～5μm或8～12μm波段的室温背景为高背景条件。 上表同时列出了各个波段的辐射对比度，其定义为：背景温度变化1K所引起光子通量变化与整个光子通量的比值。它随波长增长而减小。 IRFPA工作条件：高背景、低对比度。 2. IRFPA的分类 按照结构可分为单片式和混合式 按照光学系统扫描方式可分为扫描型和凝视型 按照读出电路可分为CCD、MOSFET和CID等类型 按照制冷方式可分为制冷型和非制冷型 按照响应波段与材料可分为1～3μm波段 （代表材料HgCdTe—碲镉汞） 3～5μm波段 （代表材料HgCdTe、InSb—锑化铟 和PtSi—硅化铂） 8～12μm 波段 （代表材料HgCdTe）。 3. IRFPA的结构 IRFPA由红外光敏部分和信号处理部分组成。 红外光敏部分——材料的红外光谱响应 信号处理部分——有利于电荷的存储与转移 目前没有能同时很好地满足二者要求的材料——IRFPA结构多样性 （1）单片式IRFPA 单片式IRFPA主要有三种类型： 非本征硅单片式IRFPA 主要缺点是：要求制冷，工作于8～14μm的器件要制冷到15～ 30K，工作于3～5μm波段的器件要制冷到40～65K；量子效率 低，通常为5%～30%；由于掺杂浓度的不均匀，使器件的响应度 均匀性较差。 本征单片式IRFPA 将红外光敏部分与转移部分同作在一块窄禁带宽度的本征半导 体材料上。目前受重视的材料是HgCdTe。 优点：量子效率较高。 缺点：是转移效率低（η＝0.9），响应均匀性差，且由于窄禁 带材料的隧道效应限制了外加电压的幅度，则表面势不大，因 此存储容量较小。 肖特基势垒单片式IRFPA 基于肖特基势垒的光电子发射效应，在同一硅衬底上制作可响 应红外辐射的肖特基势垒阵列及信号转移部分。肖特基势垒单 片式IRFPA目前受重视的材料是PtSi。 优点：因光激发过程取决于金属中的吸收，所以响应度均匀性 较好；采用的硅衬底可制成高性能的CCD转移机构。 缺点：量子效率比较低。 （2）混合式IRFPA 混合式IRFPA的探测器阵列采用窄禁带本征半导体材料制作，电荷转移部分用硅材料。 直接注入方式是将探测器阵列与转移部分直接用导线相连。 间接注入方式是通过缓冲级（有源网络）进行连接。 探测器阵列与转移部分的连接大多采用倒装式： 4. 典型的IRFPA （1）InSb IRFPA InSb是一种比较成熟的中波红外探测器材料。InSb IRFPA是在InSb光伏型探测器基础上，采用多元器件工艺制成焦平面阵列，然后与信号处理电路进行混合集成。 已研制了采用前光照结构的1×32、1×128、1×256、1×512的线列IRFPA和背光照结构的58×62、128×128、256×256、640×480、1024×1024的面阵IRFPA。 （2）HgCdTe IRFPA HgCdTe材料是目前最重要的红外探测器材料，研制与发展HgCdTe IRFPA是目前的主攻方向。 通常HgCdTe IRFPA是由HgCdTe光伏探测器阵列和CCD或MOSFET读出电路通过铟柱互连而组成混合式结构。 目前已研制了用于空间成像光谱仪的1024×1024短波（1～2.5μm）HgCdTe IRFPA，用于战术导弹寻的器和战略预警、监视系统的640×480的中波HgCdTe IRFPA及应用十分广泛的8～12μm的长波HgCdTe IRFPA。目前4N系列（4×288、4×480、4×960）的扫描型和64×64、128×128、640×480凝视型的HgCdTe IRFPA已批量生产。 HgCdTe IRFPA的像素目前可作到18×18μm2。 （3）硅肖特基势垒IRFPA 硅肖特基势垒IRFPA目前已被广泛应用于近红外与中红外波段的热成像,它是目前唯一利用已成熟