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雷射的三要素 雷射介質:所謂雷射介質是指介質受激發後能生粒子數分布反轉的現象。它們均有下列同特點：即激發至高雷射能階的機會相當大，停留在該能階的時間長和低雷射能階的生命期短等。 激發裝置:是指將某種型式之能量加入雷射介質，使其激發至高能階的數目大增，並產生粒子數分布反轉的裝置。 光學腔:即在介質兩端和加同光軸的反射鏡，稱為光學腔，其中一為全反射鏡，另一片為部分穿透鏡，當光子在光軸方向往返穿梭不斷撞擊激發原子，不斷放大，以致於激發輻射光遠大於自發輻射光。當激發至某一程度時，光子放大的因素大於撰失的因素(如部分穿透損失、鏡片吸收、繞射損失、介質散射損失等)，此時方有雷射輸出。 雷射光的特性 同調性 :若將兩個波重疊而能相吻合，則稱此兩個波為同調，也就是兩個波具相同相位差。 單色性：單色性的習稱方式有二個層次： 單一波長：眼睛不可分辨的情況，實際上仍然有許多波長，亦即其頻寬較大，通常使用稜鏡來選擇單一波長的輸出。 單一頻率：在單一波長中再選定一個波長，得到更窄的頻寬，通常使用固定式的Fabry-Perot 干涉儀(Etlon)來選擇單一頻率的輸出。 方向性、光束平行性：最著名的例子即是以雷射由地球射到月球以求兩者之間的距離。 高強度：因此雷射可以用來加工。 半導體雷射輻射原理 雷射主動介質 量測用之雷射依其活性工作介質之種類可分為： 固體雷射、氣體雷射、半導體雷射 。 活性介質可以是封閉型的，密封在雷射共振腔內，也可以是採開放迴路型的。 提供巨量反轉： 光學共振腔 共振腔是由兩片鏡片所構成的，前面的鏡片是部份反射鏡片，而後面的鏡片是全反射鏡片。 不同的雷射其雷射共振腔具有不同的特殊光學安排 共振腔內雷射光去和回來的波會形成共振，因此可以視同駐波的效應，而駐波所激發的光子相位又與其相同，因此會越激發越多同相位的光子，亦即只有造成駐波的光波才能在雷射共振腔內得到增益。 雷射光束能量分佈 ：高斯分佈 滿足 對任一位置z，電場之振幅為 ，是一種 Gaussian 函數，隨距離光軸r而衰減。 Fabry-Perot laser diode 兩個左右平行面與PN接面垂直方向切開後磨光，正面及背面則保持粗糙 上下面則有金屬的歐姆接觸以便加壓注入電流 磨光表面有鏡子作用以形成正回饋光增益，粗糙的兩面無法射出光線 Semiconductor laser structure P-N junction laser Heterojuction laser DH laser Laser mode Far field pattern Laser diode is mounted on a rotating stage. The angular dependence is recorded. L-I curve L-I curve Temperature, then Ith ?. Temperature ?, then slope efficiency ?. Kink---mode hopping Semiconductor optical amplifier Fabry-Perot laser diode—optical oscillator cavity Fabry-Perot resonator---parallel front and rear surface. Cleaving the crystal along LD crystalline planes. R~33%(nInGaAsP=3.71) Mode spacing=c/2L FP LD---spectral distribution FP LD---spectral distribution Distributed feedback laser(DFB laser) 在active layer邊長出corrugated waveguide. 在兩端作AR coating，減少平面反射。 Spectral linewidth~10MHz ?=q?/2 SMSR Quantum well laser Double hetero-junction structure consisting of an ultra thin layer(=50nm) of semiconductor material. Quantum well Layer thickness de broglie ?(50nm)?energy state quantized?density of states quantized Electrons accumulate in conduction band well, and holes in valence b