ZnO多孔硅紫外光电探测器解析.docVIP

盐 城 师 范 学 院 毕业设计（论文） 201－201ZnO/多孔硅紫外光电探测器的制作 学生姓名 何豪杰 学 院 物理科学与电子技术学院 专 业 电气工程及其自动化 班 级 10（5） 学 号 指导教师 刘卫卫 2014年5月20日 毕业论文（设计）承诺书 本人郑重承诺： 1、本设计（论文）是在指导教师的指导下，查阅相关文献，进行分析研究，独立撰写而成的。 2、本设计（论文）中，所有实验、数据和有关材料均是真实的。 3、本设计（论文）中除引文和致谢的内容外，不包含其他人或机构已经撰写发表过的研究成果。 4、本设计（论文）如有剽窃他人研究成果的情况，一切后果自负。 学生（签名）： 2014年5月20日 ZnO/多孔硅紫外光电探测器的制作 摘要 利用化学喷雾热分解法制备了基于ZnO薄膜的快速响应的紫外光电导探测器。通过在多孔硅纳米表面生长ZnO纳米薄膜，使得ZnO紫外探测器的响应时间从几秒降到几百毫秒。生长在多孔硅层上的ZnO的表面功能大大提高了ZnO紫外探测器的响应度（0.8A/W）。所会被的ZnO基紫外探测器在波长为385 nm 处的归一化比探测率达到2.12×1011cm·Hz1/2·W-1。 由于ZnO薄膜中的过程载流子被多孔硅层所补偿，使得在多孔硅衬底上制备的ZnO纳米薄膜沿c轴方向生长以及薄膜呈现p型电导。 关键字：氧化锌、多孔硅、光电导探测器 Fabrication and Characteristics of ZnO/Porous Silicon UV Photoconductive Detector Abstract Fast response time UV photoconductive detector was fabricated based on ZnO film prepared by thermal chemical spray pyrolysis technique. The ZnO nanofilms are grown on the porous silicon (PS) nanosurface which has drastically reduced the response time of the ZnO UV detector from few seconds to few hundreds of microseconds. The surface functionalization of the ZnO film deposited on porous silicon (PS) layer by polyamide nylon has highly improved the photoresponsivity of the detector to 0.8 A/W. The normalized de-tectivity (D*) of the fabricated ZnO UV detector at wavelength of 385 nm is found to be about 2.12 × 1011 cm·Hz1/2·W–1. The ZnO film grown on the porous silicon layer was oriented in the c-axis and it is found to be a p-type semiconductor, which is referred to the compensation of the excess charge carriers in the ZnO film by the nanospikes silicon layer. KEY WORDS：ZnO, porous silicon, detector.  目录 摘要 I Abstract II 前　言 1 1 生长设备和测试手段介绍 3 1.1 生长设备介绍 4 1.2测试手段介绍 4 1.2.1 X射线衍射仪 4 1.2.2 扫描电子显微镜（SEM） 5 1.2.3 光谱响应测试 6 1.2.4微区光致发光谱 7 2 材料制备与实验结果分析 9 2.1氧化锌薄膜的性质及制备 9 2.2实验结果分析 10 3结论 16 参考文献 17 致谢 18 前　言 因为广泛的学术报道紫外光电探测器已经吸引了人们极大的兴趣。紫外光电探测器大多数运用