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论文答辩 ZnO薄膜的制备与应用进展 学 生 ：张顺 导 师 ：周晓明 期 班 ：11材料物理 参考文献 总结 氧化锌薄膜的应用进展 氧化锌薄膜的制备方法 绪论 论文结构 引言： ZnO 是一种宽带隙Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体材料，ZnO 室温下的禁带宽度约为 3.37 eV，激子束缚能高达 60 meV，比其室温下的热离化能26 meV 大很多，非常适合用于制作短波长发光器件及紫外探测器。ZnO 与GaN 具有相同的晶体结构、相近的晶格常数和禁带宽度，相比于GaN，ZnO的熔点更高，热稳定性及化学稳定性更好。ZnO 单晶薄膜可以在低于500℃的生长温度下获得，