数字集成电路第3章.ppt

集成电路电路中的无源元件 无源元件有电阻、电容，制作工艺与NPN管（或MOS）兼容； 集成电阻、电容最大的优点是元件间匹配及温度跟踪好； 缺点为精度低；绝对误差大；温度系数大；可制作范围有限，不能太大，也不能太小，占用芯片面积大； 集成电路中多用有源器件，少用无源器件 集成电阻器分类 基区扩散电阻 发射区扩散电阻 基区沟道电阻 离子注入电阻 多晶硅电阻和MOSFET形成电阻 基区扩散电阻 基区扩散电阻最小条宽的设计 基区扩散电阻最小条宽受三个限制 由设计规则决定最小扩散条宽 由工艺水平和电阻精度决定 由流经电阻的最大电流决定 由设计规则决定最小扩散条宽 设计规则决定最小扩散宽度Wmin，设计规则是从工艺中提取的，为了保证一定成品率而规定的一组最小尺寸，这些规则主要考虑了制版、光刻等工艺可实现的最小条宽度、最小图形间距、最小可开孔、最小套刻精度，必须符合设计规则。 由工艺水平和电阻精度决定 由工艺水平和电阻精度决定 由此可见，要提高电阻的精度，可选较大的电阻条宽，为了保证一定的电阻值，电阻的长度必然增加，导致芯片面积增加、寄生电容增加，所以应折衷考虑 虽然扩散电阻的相对误差很大，但在一定的条件下，可使匹配误差作的很小，R1、R2与匹配误差可表示为 由工艺水平和电阻精度决定 如果将两个要求匹配误差很小的电阻，满足下列条件： 作在同一隔离岛上 互相紧挨着 使它们条宽相等 方向相同 作成一个扩散条，中间引出端将它们分成两个电阻 由流经电阻的最大电流决定 基区扩散电阻的温度系数TCR TCR随RS增大而增大，电阻比的温度系数可作的很低，因为μ、xjc、NB相同，电阻比只取决于两个电阻的L/W；在电路设计中应尽量采用电路特性只与电阻比有关的电路形式 发射区（磷）扩散电阻 直接在外延层上扩散N+层来形成 需一个单独的隔离区 外延层电阻率高于N+层 不存在寄生效应 不需要隐埋层 与其它电阻作在一个隔离岛上 发射区扩散电阻做在一个单独的P型扩散区 有寄生PNP效应 需要隐埋层 作小电阻、作磷桥 隐埋层电阻 电阻较小20欧姆/方块 特别适合作与晶体管集电极相连的小电阻 计算方法与基区电阻相同 隐埋层电阻精度不高、难以控制，工艺因素对其影响太多 基区沟道电阻 定义：在基区扩散层上在覆盖一层发射区扩散，利用两次扩散所形成的相当于晶体管基区的部分作为电阻的，称为基区沟道电阻 特点（1）薄层电阻RS较大，用小面积制作大电阻（2）R是两端外加电压的函数；电压很小时为常数（3）只能用作小电流、小电压，如基区偏置电阻、泄放电阻（4）精度低，没有独立控制因数（5）大面积N+-P，所以寄生电容大。R=RS（L/W） 外延层电阻（体电阻） 定义：直接在外延层上作成的电阻，两端的N+扩散区是电极的接触区，又称体电阻，不存在寄生效应；不需要隐埋层 特点：外延层电阻大；可承受高压；横向修正；电阻相对误差大；电阻温度系数大 如果在外延层上再覆盖一层P型扩散层，就可以形成高阻值的电阻。 离子注入电阻 定义:在外延层上注入硼离子,形成电阻区,在电阻区的两端进行P型杂质扩散,以获得欧姆接触,作为电阻的引出端. 特点:薄层电阻可控范围大,可由注入条件精确控制;电阻精度高,可作大电阻 TCR与退火条件、RS等有关，所以可以控制，当注入硼区，后再注入氩离子时，其温度系数可降至10-4以下。 缺点：由于注入结深较小，所以注入层厚度受耗尽层影响较大，导致阻值随电阻两端电压的提高而增大 MOS集成电路中常用电阻多晶硅电阻；用MOS管形成电阻 用MOS管形成电阻 用MOS管形成电阻，占用面积小，但为非线性的 非饱和区大信号沟道电阻 集成电容器 双极集成电路中常用的集成电容器 反偏PN结电容器 MOS电容器 MOS集成电路中常用的MOS电容器 感应沟道的单层多晶硅MOS电容 双层多晶硅MOS电容 反偏PN结电容器 工艺与NPN兼容 发射结零偏单位面积电容CjA0较大，击穿电压低 集电结零偏单位面积电容CjA0较小，击穿电压高 利用并联方式可提高结零偏单位面积电容CjA0 MOS电容器 下电极为N+发射区扩散层；上电极为铝膜；中间介质为薄二氧化硅，厚度1000A，这层介质对工艺要求较高，一般要额外制作。 MOS电容器特点 单位面积电容CjA0较小 击穿电压高 温度系数小 当下电极用N+扩散时，MOS电容的电容值基本与电压大小及电压极性无关 ?C/C较大 有较大的CjS， CMOS /Cjs 较小 感应沟道的单层多晶硅MOS电容 以栅氧化层为介质,多晶硅为上电极,衬底为下电极;通常C区下衬底表面感应沟道与扩散区S相连 特点:电容值是所加电压的函数,是个非线性电容,常用自举电路. 双层多晶硅MOS电容 构成:作在场氧层上的,电容的上下极(掺杂多晶硅)通过场氧化层与