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氮化硅制品的制造 （1）反应烧结法（氮化烧结法）： 将硅粉或硅粉与氮化硅粉的混合料成型，在氮化炉内于1150-1450℃加热氮化。 3Si + 2N2 ? Si3N4 坯体几乎不收缩，它的致密化是由于硅坯体中硅粉与氮气起化学反应生成氮化硅后，有22％的摩尔分数增加，使坯体致密化程度提高，并随之使坯体烧结。 * （2）热压烧结法： 采用?相含量＞90％的氮化硅细粉和少量添加剂，充分磨细，混合均匀，放入石墨模具中进行热压烧结。 制品密度高、强度和断裂韧性好。但制品形状受限，性能具有方向性，硬度高使后期加工非常困难。 （3）无压烧结法 采用?相含量＞90％的氮化硅细粉和适量添加剂，经成型后，在氮气氛下于1700-1800℃下烧结。 关键是防止氮化硅的分解，必须精心选择外加剂、烧成制度等。 可以制造形状复杂的产品，性能优于反应烧结氮化硅，且成本低。但由于制品中玻璃相含量较多，影响了材料的高温强度，同时由于烧成收缩较大，制品易开裂变形。 * （4）反应烧结重烧结氮化硅（二次反应烧结氮化硅） 指将含有添加剂的反应烧结氮化硅在一定氮气气氛下，在更高温度下再次烧结，使之进一步致密化。 可将反应烧结氮化硅中的气孔率减小到5％左右。制品既具有较高的密度和强度，又可做成形状复杂、尺寸精确的制品。 氮化硅的性能和用途 （1）热膨胀系数小，具有优良的抗热震性；（2）硬度高，具有优良的耐磨性；（3）较高的机械强度；（4）优良的化学稳定性，不易被腐蚀；（5）良好的电绝缘性。在冶金、航空、化工、机械等工业部门中有着广泛的应用。 * 氧氮铝硅（赛隆）陶瓷 氧氮铝硅，即赛隆，Sialon，分子式：Si6-xAlxN8-xOx，x为?-Si3N4中Si原子被Al原子取代的数目，0＜x≤4.2。类似于?-Si3N4，六方结构，有?和?两种晶型，?-Sialon性能较差，?-Sialon则具有优良的性能。 比氮化硅易于烧结，可采用无压或热压的方式来制备赛隆陶瓷制品。 * 第六节氮化硼的制造工艺 氮化硼（BN）的晶体结构 有六方和立方两种结构。六方BN晶体结构类似于石墨，有润滑性，也称为“白石墨”。与石墨不同之处在于BN的层中电子为满壳层结构，无自由电子，因此是良好的绝缘体。 六方BN在6-9GPa/1500-2000℃下会转变成立方BN，其硬度接近金刚石，但比金刚石耐高温、抗氧化，是优良的超硬材料。 。 氮化硼原料的合成 一般是由含硼化合物（如单质硼、硼酐、卤化硼、硼的盐类等），与含氮盐类在氮气或氨气氛中通过气相-固相或气相-气相反应合成。 * 氮化硼制品制造 BN的烧结性能很差，为了获得致密的BN制品，常采用热压法制备氮化硼制品。 氮化硼的性能和应用 六方BN：具有很好的润滑性，可用作固体润滑剂；热导率与不锈钢相当，在陶瓷材料中仅将于BeO；对酸、碱和玻璃熔渣有良好的耐侵蚀性。 立方BN：最突出的特点是硬度高，且在高温下不与铁系金属反应，可在1400℃的温度使用（金刚石为800℃）。 * 第七节 氮化铝的制造工艺 氮化铝（AlN）的结构及特性 为六方晶系，无熔点，热硬度很高，在2000℃以内的非氧化气氛中具有良好的稳定性，室温强度高且不随温度升高而发生变化，热膨胀系数低，热导率高，具有良好的化学稳定性和电绝缘性。但高温抗氧化性差，在大气中易吸潮水解。 氮化铝原料的合成 （1）氧化铝还原氮化法： Al2O3+3C+N2?2AlN+3CO （2）铝粉与氮气直接化合，以碱金属的氟化物作触媒剂，即： 2Al+N2?2AlN * （3）电弧法，即用两个高纯铝电极在氮气中起直流电弧，电极之间的电弧所产生的高温使铝气化，铝蒸气与氮气反应形成AlN。 （4）氯化铝与氨反应，即： AlCl3+NH3?AlN+3HCl 氮化铝制品的制造 氮化铝遇水会发生水解反应，变成氧化铝： AlN+3H2O?Al(OH)3+NH3 因此在细磨之前需经高温处理，以降低其水解活性。不宜用注浆法，一般用模压法、等静压法、热压法。用的较多的是等静压法（既避免了模压法中常有的素坯层裂的问题，又避免了热压法产品形状受到限制的问题）。 * 第八节 二硅化钼及其发热体 MoSi2可通过金属钼粉与硅粉直接反应合成，或用钼的氧化物还原反应合成来制备。 MoSi2呈灰色，具有金属光泽，熔点2030℃。其抗氧化性比较好，是由于在表面形成了一薄层熔融状的SiO2或一层由抗氧化和难熔硅酸盐组成的保护膜。MoSi2在高温下的蠕变非常大，容易变形。 * MoSi2发热元件用挤压法成型，在空气中的最高使用温度达1700℃。元件在1300℃时便会发生显著的蠕变，并有延展性，冷却后又重回复脆性，因此MoSi2发热元件通常制成U形。 MoSi2发热体的电阻随温度升高而增大，具有正的电阻温度系数。 MoSi2发热