半导体激光器主要参数1.pptVIP

上节课回顾： 1、跃迁速率与爱因斯坦关系； 2、半经典理论求解B12； 3、净受激发射的条件； 4、增益系数 阈值条件和增益分布 此时建立起粒子数的反转分布，吸收系数就变为负的，半导体材料由光吸收介质变成了增益媒质。它可以使频率处在增益带宽范围内的光辐射得到放大。增益系数为： 但这只是提供了产生激光的前提条件，要实际获得相干受激辐射，必须将此增益介质置于光学谐振腔内，使光波在两个腔面反射镜之间通过增益介质来回反射面得到放大。如果光增益超过谐振腔引起的光损耗及其他损耗之总和，则贮存在腔内的光场将不断增加；同时光增益是能够饱和的，它会使光放大系数减小。下面讨论与此相关的一些问题。 rst(E21):受激发射率 在该系统中能够形成自持振荡的条件是：当波在两个腔面间经过多次反射回到原处时，波的振幅至少应等于起始值，波的相位一致。 ai是内部损耗系数，通常是由自由裁流子吸收和光学不均匀散射引起的，g为增益系数。 自持振荡的条件 阈值增益为： 1、振幅 半导体和空气界面处的功率反射系数R为： 2、振荡的相位条件，即形成稳定振荡的驻波条件 光子在谐振腔内来回一次所经历的光程必须是波长的整数倍。当增益介质的折射率nR和腔长L一定时，每一个g值就对应着一个振荡频率或波长，或者说对应着一个振荡的纵模模式。对式(1) 取微分后得到：