电子科大《集成电路工艺》第十五章精要.pptVIP

* 15.5 自动显影检查设备 * 15.5 光刻、显影检查及返工流程 1. 气相成底膜 HMDS 2. 旋转涂胶 光刻胶 3. 软烘 4. 对准和曝光 UV light Mask 5. 曝光后烘焙 6. 显影 7. 坚膜烘焙 8. 显影检查 不合格硅片 合格硅片 离子注入 刻蚀 O2 等离子去胶清洗 返工 * 15.6 先进的光刻技术 * 15.6 光刻技术的改进 * 15.6 先进的光刻技术 下一代光刻技术 极紫外 (EUV) 角度限制投影电子束光刻－SCALPEL 离子束投影Ion Projection Lithography (IPL) X-Ray 先进的光刻胶工艺 发展的方向（正胶、化学放大DUV） 扩散增强甲硅烷基光刻胶工艺－DESIRE * 15.6.1 下一代光刻技术 极紫外光刻技术示意图 步进扫描承片台 步进扫描4倍反射投影掩膜版 大功率激光 靶材料 EUV 等离子 多层涂层镜 投影掩膜版的1/4图形 真空腔 * 15.6.1 SCALPEL示意图 电子束 步进扫描承片台 静电透镜系统（4:1缩小） 步进扫描投影掩膜版承台 真空腔 角度限制投影电子束光刻(SCALPEL)； 使用的多层薄膜掩膜版几乎不吸收电子； 电子束通过一个掩膜版中的高原子数目层时，该层散射出电子在硅片平面形成一个高对比度的图形； SCALPEL为线性复制，用步进扫描直写方式产生曝光光刻胶条纹。 * 15.6.1 离子束投影光刻技术 离子束投影光刻技术(IPL)； 用离子束进行光刻胶曝光，或者通过掩膜，或者用精确聚焦的离子束连续在光刻胶上直写。 离子质量比电子大，因而能更有效地将能量转换到光刻胶上。 离子束投影光刻技术能获得非常高的分辨率。 离子束 步进扫描承片台 静电透镜系统（4:1缩小） 真空腔 离子源 Mask 参考平面 * 15.6.1 X射线光刻技术 X-ray 光谱 10 nm 0.1 nm 1 nm 100 nm MUV DUV Hg灯 同步加速器 UV 光谱 EUV 软X-rays 硬 X-rays 准分子激光器 X射线光刻技术： 系统组件包括:(1) 掩膜版 (2) x射线源(3) x射线光刻胶。 * 15.6.1 X射线光刻技术 X-ray 光掩膜示意图 X-rays Silicon wafer 薄膜 玻璃架 刻到下层薄膜的窗口 镀金的铬图形吸收 X-ray 扫描 X-rays 通过类似这种光掩膜版被指向生产硅片. 波长很短，掩膜版上没有衍射干涉效应产生，工艺宽容度很大。 X射线版图用的是与硅片关键尺寸相同的1倍掩膜版。 * 15.6.1 MOS器件中的辐射损伤 * 15.6.1 MOS器件中的辐射损伤 * 15.6.2 先进的光刻胶工艺 光刻胶及光刻的发展 负性光刻胶 正性光刻胶 (DNQ-酚醛树脂) 化学放大胶 先进的光刻胶 顶层表面成像 接触式曝光机 G线分步重复光刻机 I线分步重复光刻机 扫描式光刻机 DUV步进扫描光刻机 DUV分步重复光刻机 EUV步进扫描光刻机 SCALPEL IPL, X-ray PSM, OAI 1970s 10 mm 1.2 mm 0.35 mm 0.40 mm 0.18 mm 2010 0. 1 mm 2000s 0. 13 mm 1 mm 1980s 1990s * 15.6.2 顶层表面成像 曝光的光刻胶 未曝光的光刻胶 UV (a)正常曝光过程 (d) 最终被显影的图形 O2 plasma develop (b) 曝光后烘焙 交联 曝光 曝光的光刻胶 (c) 气相甲硅烷基化作用 Si Si HMDS * 附：掩膜版的质量要求 1. 每个微小图形要有高的图像质量 2. 图形边缘清晰、锐利、无毛刺 3. 整套掩膜版能够很好对准 4. 图形与衬底要有足够的反差 5. 掩膜尽量无针孔、小岛和划痕 6. 版面平整、光洁、坚固耐磨 * 第十五章 光刻光刻胶显影和先进的光刻技术 微固学院 张金平 jinpingzhang@uestc.edu.cn * 15.1 引言 本章主要内容： 光刻胶显影技术 先进的光刻技术 本章知识要点： 掌握光刻胶的显影方法； 掌握光刻胶曝光后烘焙意义； 了解先进的光刻技术。 * 8)显影后检查 5) 曝光后烘焙 6)显影 7)坚膜 UV Light Mask 4) 对准和曝光 Resist 2) 涂胶 3)前烘 1) 气相成底膜 HMDS 光刻的八个步骤 15.1 引 言 * 15.2 曝光后烘焙 * 15.2 曝光后烘焙