微电子基础实验2015版摘要.docVIP

微电子基础实验 实验指导书 孙显龙 主编 二○一五年四月 半导体导电类型的观测 一实验目的： 半导体材料有电子和空穴两种导电机构，N型硅以电子导电为主，P型硅以空穴导电为主导电类型测量就是要确定单晶硅是电子导电为主，还是空穴导电为主。 二、实验原理： 在半导体材料中，载流子的浓度随温度升高而增加。如图1所示，在半导体表面接触一个有一定温度的热探针和另一个为室温的冷凝针，在半导体中会产生热电势，其大小取决于导电类型载流子浓度和温差。N型和P型材料的电势方向是相反的。对于P型硅热探针附近的多数载流子空穴增加形成浓度梯度，引起空穴由热端向冷端扩散，因此，其热电势是热端为负，对N型硅则相反，热端为正，在两探针外接上电流，则可根据电流方向判断硅的导电类型。 三、实验内容： 半导体导电类型的冷热探针测量法原理及方法。 熟悉测量前对半导体被测量表面的处理方法。 测量硅单晶样品的导电类型四、实验方法和步骤： 图1 热探针测量原理图仪器测量：接通仪器电源，加热热探针，注意热探针要放好位置，防止烧坏导线和其他物品。冷热探针同时垂直压于单晶硅表面，观察电流表指针的偏转方向判断硅的导电类型。 自选方法：自制冷热探针（如用电烙铁做热探针），选用连接成测量电路，测量硅单晶的导电类型可采集信号通过放大用仪器或仪表观察 五、实验要求：（略） 单晶硅电阻率的测试 一实验目的： 金属材料的电阻率可用万用表测量，半导体材料因为万用表的金属表笔和半导体接触时有很高的接触电阻接触电阻远大于被测样品本身的电阻此外接触处引起载流子的注入，将电阻率的变化。 测量半导体的电阻率的方法很多。如二探针法、扩展电阻法和四探针法等，而四探针法是目前广泛使用的标准方法它具有设备简单，操作方便，精度较高对样品的几何形状无严格要求等优点 本实验的目的是掌握四探针法测量电阻率和薄层电阻的原理和方法。并能针对不同几何尺寸的样品，掌握其修正方法了解电阻率准确测量的各种因素及改进措施二、实验原理： 采用四探针法测量半导体材料电阻率设被测样品电阻率?均匀，样品何尺寸相对测量探针的间距可看作半无限大。引入点电流源的探针其电流强度为I，则产生的电力线有球面对称性，即等位面为一系列以点电流源为中心的半球面，如图1所示。 图 半无穷大样品上点电流源的半球等位面 电流密度j的分布是均匀的若以r为半径的半球面上， 由此可得半径为r的电场强度E 取无穷远处的电位为零，并利用 上式就是半无限大均匀样品上离点电流源距离为r的点的电位与探针流过的电流和样品电阻率的关系式，它代表了一个点电流源对距离r处的点的电势的贡献实际测试用的四探针如图2所示。 任意位置的四探针 直线型的四探针 图2 四探针示意图 测试时四探针位于样品中央，排列成直线，间距为，点电流从探针 l流入，从探针4流出则可以认为1、4探针是点电流源，代入上式后可得探针2和探针3处电位， 从而求出探针2、3间电压 则，样品的电阻率为 四探针测试仪探针间距S=1mm则上式变为实际测量时调解电流I的值为I=2=628，单位是mA，则。样品厚度和边缘与探针间距大于4S时，可认为样品几何尺寸与探针间距为无限大即可满足测量精度要求。这样测量的电压数值，即为电阻率值的有效数字，电流I取不同单位时，的有效数值倍率如表所示表1电流I取不同单位时所对应电阻率的有效数值（mA） (m) 1 10 100 1000 0.0628 10 100 1000 10000 0.628 1 10 100 1000 6.28 0.1 1 10 100 62.8 0.01 0.1 1 10 当不满足上述条件而用上述方法测量时，电阻率公式要修正为：。为修正系数，与样品尺寸及所处条件有关。采用四探针法测量扩散层电阻方块电阻是表面为正方形的薄层方向所呈现的电阻，单位为扩散层电阻扩散层底结，扩散层底绝缘扩散层方块电阻表示 当扩散层厚度小于探针间距S横向尺寸S时，经推导得 上式即为用四探针法测方块电阻计算公式，仿照前例取I=4.53，则测时，要求样品边缘与探针间距大于4S，否则还需进行修正。 图2 双电测组合四探针法 将直线四探针垂直压在被测样品表面上分别进行I14V23和I13V24组合测量，测量过程如下： 1、进行I14V23组合测量： 电流I从1针→4针，从2、3针测得电压V23+； 电流换向，I从4针→1针，从2、3针测得电压V23-； 计算正反向测量平均值：V23＝(V23+ ＋V23- )/2； 2、进行I13V24组合测量： 电流