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junyu@dlut.edu.cn 版图设计规则 工艺加工中可能会出现偏差： 光刻腐蚀可能过了头 多层掩膜之间对不准 硅片在高温下可能变形 感光可能过分或不足 版图设计规则 版图设计时必需遵循的规则，是版图设计所依据的基础。 是由几何限制条件和电学限制条件共同确定的版图设计的几何规定 有了设计规则，设计工程师可以不熟悉工艺细节，工艺工程师也不需要深入了解版图设计内容 版图设计规则是芯片器件的集成度与成品率之间的一个折中。 设计规则通常用两种表示方法： 以特征尺寸为基准的λ规则 通常以特征尺寸的一半为单位，例如对于1微米的工艺， λ=0.5微米。 λ设计规则非常有利于工艺的按比例收缩，例如当1微米工艺进步到0.5微米时，只要定义λ=0.25μm，大部分版图就可以不加修改直接应用 以微米为单位的设计规则 以微米分辨率来规定的微米规则，给出了适用于给定工艺中所有掩膜版的最小特征尺寸和间距 介绍以微米为单位的设计规则 （2）最大、最小尺寸规则 多边形的宽度和长度都要符合某个特定的值，即不能小于这个值，也不能大于这个值。通常定义宽度规则的层是接触孔（Contact）和通孔（via） 例子：min max size of Vn：0.26×0.26μ(n=2,3,4,5) （3）间距规则（space rule） 指的是多边形之间最小距离的规则。定义间距规则是为了避免两个多边形之间形成短路。间距规则不但可以定义在同一层的多边形之间，也可以定义在不同层的多边形之间。 不同层的多边形之间的最小距离大多指的是两个多边形的平行距离 包围规则 指一层与另一层线条之间交叠并将其包围的最小尺寸 交叠规则 两层之间交叠的最小尺寸。交叠规则定义的两层为不同的层。 两层交叠，并且一层要伸出另一层的最小尺寸 两层交叠，两层之间的最小尺寸 设计规则举例 N阱层相关的设计规则及其示意图 P+、N+有源区层相关的设计规则及其示意图 Poly层相关的设计规则及其示意图 二、几何设计规则 －举例及问题讨论 当给定电路原理图设计其版图时，必须根据所用的工艺设计规则，时刻注意版图同一层上以及不同层间的图形大小及相对位置关系。然而对于版图设计初学者来说，第一次设计就能全面考虑各种设计规则是不可能的。为此，需要借助版图设计工具的在线设计规则检查（DRC）功能来及时发现存在的问题。 参照上述的硅栅工艺设计规则，一个反相器（不针对具体的器件尺寸）对应版图设计中应该考虑的部分设计规则如下图所示。 问题讨论： （1）阱的间距和间隔的规则 N阱通常是深扩散，必须使N阱边缘与邻近的N＋扩散区之间留有足够的间隙，从而保证N阱边缘不与P型衬底中的N＋扩散区短接。内部间隙由沿阱周围的场区氧化层的渐变区所决定。虽然有些工艺允许内部的间隙为零，但“鸟嘴”效应等问题导致了规则1.4（N阱外N阱到N+距离）的设计要求，这是一种保守的估算。 版图的验证 版图设计完成后，还需要进行一系列的检查和验证。 版图的验证包括：设计规则检查（DRC）、电学规则检查（ERC）、版图参数提取以及电路图与版图一致性检查（LVS） 设计规则检查 是将版图提取的文件与设计规则文件进行比较，如果发现所设计的版图与设计规则违背，就会给出提示，设计者根据提示做适当的修改，然后再进行检查，直到没有错误为止 DRC检查工具简介 Calibre DRC工具 （1）检查内容丰富、准确 （2）具有两种文件运行方式 （3）运行结果浏览方便。通过Calibre RVE和版图编辑器分析DRC的结果并进行查错，准确快捷，一目了然 Diva DRC工具 是Cadence公司开发，嵌入版图设计工具之中。可以在版图设计工具Virtuoso中，通过单击图形界面中的Verify菜单，并点击其中的DRC子菜单，就可以进行DRC检查 可以检查部分版图，也可以检查整个版图及单独检查前一次DRC后做出改变的版图 常用于规模较小的集成电路版图检查 电学规则检查（ERC） 主要检测电路中的节点连接错误并进行天线规则检查。由于许多节点连接错误在做LVS检查的时候才可以被查到，所以在实际应用中ERC检查是可选的。有些设计规则工具将ERC检查工具嵌入在DRC检查工具中，作为一个可供选择的选项出现。 ERC检查的主要错误有如下几种： （1）天线规则 检查版图中是否存在“天线效应”。天线效应指的是在集成电路芯片中，一条条金属线就像一根根天线，当芯片中有游离的电荷时，“天线”就会将这些游离的电荷收集起来 ，收集的电荷数量与天线长度成正比。当收集的电荷达到一定数量的时候，就会产生放电现象。 通常通过插入二极管的方法来克服天线效应，这样当