第七部分：电缆的EMC设计.pptVIP

杨继深 2002年4月 电话 010屏蔽层的磁场耦合屏蔽效果 VN ＝ M12 I1（Rs / Ls ) VN ＝ j?? M12 I1 VN Rs / Ls 无屏蔽电缆 屏蔽效能 屏蔽电缆 lg? * * * * 根据White,Donald R. J.所著“Control Methodology and Procedures”中提供的下列模型计算： 区域1( 电缆长度在第一个谐振点以下，F 75 / S )： Vmax(V) = [ S(m) ? h(m) ? F(MHz) ? E(V/m)] / 48 区域2 (长度超过 ? /2 谐振点，高度低于谐振频率 )： Vmax(V) = 2 ? h(m) ? E(V/m) 区域3 ( 超过高度h的第一个谐振点，即F 75 / h )： Vmax(V) = 150 ? E(V/m)] / F(MHz) Vmax表示这里考虑的是最坏情况。 如果高度不是0.5m，在区域1和区域2中作如下修正： 实际值 = 曲线值（dBV) + 20 lg ( h / 0.5) 举例：电缆长度为10米，高度为0.2米，短波电台的场强为3V/m，频率为3MHz 。求最大共模电压。 对应10米长的电缆的曲线为C。曲线C对应3MHz的数值为-10dB，高度修正为20lg(0.2/0.5) = -8dB，因此，感应电压为： V = 10dBV/m - 10dB -8dB = -8dBV，或0.4V * 平衡电路： 平衡电路中的两个导体及与其连接的所有电路对地或其它导体有相同的阻抗。 平衡电路对电磁场的响应：平衡电路中的两个导体几何尺寸相同，并且靠得很近，因此可以认为是处于同一个场强。由于它们相对于任何参照物体的阻抗都相等，因此它们上面感应的电流是相同的，在导体两端相对于参考点的电压也是相同的。因此两根导体之间的电压为0V。 若这两个导体连接在电路的输入端，为电路提供输入信号电压，由于它们之间没有噪声电压，因此外界电磁场对电路的输入没有影响。理想的平衡电路能够抵抗任何强度的电磁场干扰。 平衡电路性能的评估：平衡电路的平衡程度用共模抑制比来描述。共模抑制比定义为共模电压与它所产生的差模电压之比，常用分贝来表示。 CMRR = 20lg ( VC / VD ) dB 例如，如果电路的共模抑制比为60dB，则1000V的共模电压在电路的输入端只能产生1V的差模电压。该电路的抗雷电等产生的共模干扰的性能很好。 设计良好的电路，其共模抑制比可以达到60-80 dB。高频时，由于寄生参数的影响，电路的平衡性很难作得很好。 注意：双绞线是一种平衡结构，因此在平衡系统中经常使用双绞线。同轴电缆则不是平衡结构，在平衡系统中使用时要注意连接方法。同轴电缆只能做一根导体使用，其外层作为屏蔽层使用。 * 当平衡电路的共模抑制比不能满足要求时，可以用屏蔽、共模扼流圈等方法来进行改善。但屏蔽的方法仅适合于空间电磁场造成共模干扰的场合。共模扼流圈的方法可以适合于任何共模干扰的场合，如地线电位差造成的共模干扰。 屏蔽：将电路的输入电缆屏蔽起来，屏蔽层按照规范进行连接，可以起到屏蔽电磁场的作用，它的抑制效果与电路平衡性对空间电磁场的共模干扰的抑制效果是相加的。例如，屏蔽提供的共模抑制效果是30dB，平衡电路的共模抑制比是60dB，则总的共模抑制效果是90dB。电缆屏蔽层的屏蔽效果在很大程度上决定于屏蔽层的端接方式，端接不好的话（不是360度搭接方式），高频的屏蔽效能会下降。 共模扼流圈：共模扼流圈的特殊绕制方法决定了它仅对共模电流有 抑制作用，而对电路工作所需要的差模电流没有影响。因此，共模扼流圈是解决共模干扰的理想器件。理想的共模扼流圈低频的共模抑制作用小，而随着频率的升高，抑制效果增加。这与平衡电路低频的共模抑制比高，随着频率升高，平衡性变差，共模抑制比降低的特性正好相反，因此具有互补性。所以，在平衡电路中使用了共模扼流圈后，电路在较宽的频率范围内能保持较高的共模抑制比。 说明：共模扼流圈的特性与许多共模抑制器件的特性都有互补性，例如，隔离变压器，由于初次级之间寄生电容的影响，对于高频共模干扰抑制效果很差，与共模扼流圈一起使用后，就改善了这个缺陷。共模扼流圈的另一个好处是，不需要接地。这为设计提供了很大方便。 * * * 克服磁场的干扰有效方法是减小回路的面积，也就是使信号线与其回线尽量靠近。双绞线和同轴线在减小磁场干扰方面有很好的效果。 双绞线：双绞线能够有效地抑制磁场干扰，这不仅是因为双绞线的两根线之间具有很小的回路面积，而且因为双绞线的每两个相邻的回路上感应出的电流具有相反的方向，因此相互抵销。双绞线的绞节越密，则效果越明显。 但是，如果电路的两端