- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
电磁炉维修手册
??????????
【字体:小 大】
电磁炉维修手册
一 1.1??a电磁炉原理 1.2??458系列简介 二 2.1??特殊零件简介 2.1.1??LM339集成电路 2.1.2??IGBT 2.2??电路方框图 2.3??主回路原理分析 2.4??振荡电路 2.5??IGBT激励电路 2.6??PWM脉宽调控电路 2.7??同步电路 2.8??加热开关控制 2.9??VAC检测电路 2.10??电流检测电路 2.11??VCE检测电路 2.12??浪涌电压监测电路 2.13??过零检测 2.14??锅底温度监测电路 2.15??IGBT温度监测电路 2.16??散热系统 2.17??主电源 2.18辅助电源 2.19??报警电路 三 3.1??故障代码表 3.2?主板检测标准 3.2.1主板检测表 3.2.2主板测试不合格对策 3.3??故障案例 简介 1.1??电磁加热原理 电磁灶是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器,由整流电路将50/60Hz的交流电压变成直流电压,再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHz的高频电压,高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场,当磁场内的磁力线通过金属器皿(导磁又导电材料)底部金属体内产生无数的小涡流,使器皿本身自行高速发热,然后再加热器皿内的东西 1.2??458系列筒介 458系列是由建安电子技术开发制造厂设计开发的新一代电磁炉,介面有LED发光二极管显示模式LED数码显示模式LCD液晶显示模式VFD莹光显示模式机种/关机700~3000W的不同机种,功率调节范围为额定功率的85%,并且在全电压范围内功率自动恒定200~240V机种电压使用范围为160~260V,?100~120V机种电压使用范围为90~135V50?60Hz的电压频率-23℃~45℃?电控功能有锅具超温保护?锅具干烧保护?锅具传感器开/短路保护2小时不按键(忘记关机)?保护IGBT温度限制IGBT温度过高保护IGBT测温传感器开/短路保护VCE抑制VCE过高保护 458系列须然机种较多,且功能复杂,但不同的机种其主控电路原理一样,区别只是零件参数的差异及CPU程序不同而己8位4K内存的单片机组成,外围线路简单且零件极少,并设有故障报警功能,故电路可靠性高,维修容易,维修时根据故障报警指示,对应检修相关单元电路,大部分均可轻易解决 二 2.1??特殊零件简介 2.1.1??LM339集成电路 ??????LM339内置四个翻转电压为6mV的电压比较器,当电压比较器输入端电压正向时(+输入端电压高于-入输端电压),?置于LM339内部控制输出端的三极管截止,?此时输出端相当于开路;?当电压比较器输入端电压反向时(-输入端电压高于+输入端电压),?置于LM339内部控制输出端的三极管导通,?将比较器外部接入输出端的电压拉低,此时输出端为0V 2.1.2??IGBT 绝缘栅双极晶体管(Iusulated?Gate?Bipolar?Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压 目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,?但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构 IGBT有三个电极(见上图),?分别称为栅极G(也叫控制极或门极)?C(亦称漏极)?及发射极E(也称源极)? ????从IGBT的下述特点中可看出,?它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷,?就是于高压大电流工作时,?导通电阻大,?器件发热严重,?输出效率下降 IGBT的特点: 1.电流密度大,?是MOSFET的数十倍 2.输入阻抗高,?栅驱动功率极小,?驱动电路简单 3.低导通电阻BVceo下,?其导通电阻Rce(on)?不大于MOSFET的Rds(on)?的10% 4.击穿电压高,?安全工作区大,?在瞬态功率较高时不会受损坏 5.开关速度快,?关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us600V级的约0.2us,?约为GTR的10%,接近于功率MOSFET,?开关频率直达100KHz,?开关损耗仅为GTR的30% ?????IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体,?是极佳的高速高压半导体功率器件 目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下: (1)?SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6
文档评论(0)