量子霍尔效应解析.docVIP

量子霍尔效应 霍尔效应是一种发现、研究和应用都比较早的磁电效应，电子在导体中的定向流动形成电流，如果沿垂直于电流方向施加一稳恒磁场，则电子运动必然受到洛伦兹力影响而产生其他效应。1879年Hall发现了所谓的经典霍尔效应，恰好100年以后，K.vonKlitzing于1980年发现了量子霍尔效应[1]，并因此获得1985年诺贝尔物理学奖；1982年5月华裔物理学家崔琦、H.Stormer和A.Gossard发现了分数量子霍尔效应，并于1998年获得诺贝尔物理学奖。霍尔效应从经典的到量子，从整数量子霍尔效应到分数量子霍尔效应，已经取得了不少的研究成果，本文就介绍霍尔效应的发展和量子模型理论。 经典霍尔效应 首先回顾一下经典霍尔效应。给一个长方形导体两端（x方向）施加一个静电场（如图1），则在导体中产生的电流密度为 其中，n为载流子浓度，q和v分别为载流子电荷和速度。在Z方向上施加一个稳恒的磁场，则带电粒子会受到洛伦兹力的作用发生偏转，在Y方向的两个面上放生电荷积累，形成电势差UH，称为霍尔电压；随着电荷的不断积累，当场强Ey增大至vB/c（CGS单位制）时，洛伦兹力与静电力平衡，载流子不在发生偏转，此时霍尔电压达到稳定值。定义横向的电阻率（即霍尔电阻率）： 由于平衡时Ey=vB/c，结合上面两式有： 设导体沿y方向的宽度为Ly，则 通过测量UH、B、jx，就可以知道载流子电荷和浓度。可以利用这个很容易分辨半导体是N型还是P型的，知道了载流子种类，计算载流子浓度，对半导体研究意义很大；同时，由于霍尔电导跟磁场有关系，可以制作各种传感器，应用到测量技术、电子技术、自动化技术等，其中高斯计就是很重要的一个应用。 图1.经典霍尔效应 经典霍尔效应是容易理解的，但我们在不同极限条件下发现了一些新的霍尔效应，比如在一些铁磁材料中，不加磁场时也存在霍尔效应，但原理有根本的不同，被称作反常霍尔效应，当在低温强磁场下，霍尔电阻率不再随B成比例关系，而是表现出台阶，这就是下面要谈的量子霍尔效应。 量子霍尔效应 K.von Klitzing、G.Dorda和M.Pepper在研究金属-氧化物-半导体场效应晶体管中的反型层载流子输运过程，他们发现在低温（约1.5K）、强磁场（约18万高斯）条件下，当增强栅电压时，在硅反型层的霍尔电压随之下降的过程中，陆续出现一系列“平台”。相应的霍尔电导取e2/h的整数倍值。它的精度超过百万分之一，其中e、h分别是电子电荷和普朗克常数，与每个霍尔平台对应的纵向电阻率为零，即电流方向无电势差。 图2.霍尔电压UH、纵向电压Upp与门电压VG的关系图（测量温度T=1.5K，磁场B=18万高斯，样品电流1=1.0μA，UH、UPP分别与ρxy、ρxx成比例，n是朗道能级的编号；右上角是所用样品顶视图，长度为400μm，宽为50μm）[1] 简单地说，在低温强磁场下ρH与B出现下图的关系，并且阶梯平台可表示为 由上式可以看出霍尔电阻率跟温度、磁场和样品本身是没有关系的，因此可以用作标准电阻研究。 图3. ρH与B的关系.实线为经典霍尔效应，虚线为量子霍尔效应 量子模型理论 霍尔效应实际上应是电子在稳恒电磁场中的运动，因为必须应用量子力学才能得到深入理解。简单起见，我们取导体中的电子进行研究，同时考虑该电子为自由电子，那么在外磁场下，相应矢势取为 对应的薛定谔本征方程是 其中，μz为自旋磁矩z分量，因为上式不含有x和z的坐标项，所以波函数可以写成 代入（7）式可得 其中 相应的本征函数 其中，Hn（x）是埃尔米特多项式;显然能级En是简并的，因为相应的波函数因y0不同而异，而y0可由px决定，考虑到px的可能取值： y0的可能取值的间隔为 根据0≤y0≤Ly，可知能态En的简并度为 或者说，在x-y平面，En能态的态密度为 若导体沿z方向足够薄，则Pz=0，若磁场B足够强以致电子完全极化，则可将μzB视为常数，而将能量写作 这个结果就是朗道能级。原则上，电子的运动要考虑相对量效应，由狄拉克方程描写，这是的哈密顿写为 消去χ，得 因为 故有 将（6）式代入得 与（7）式比较，狄拉克方程和薛定谔方程有相同形式的解，E要理解为；由（16）式知电子填充一个能态的态密度，那么填充单位面积N个能态的电子数应该为，认为这些占据朗道能态的电子都是载流子，代入（3）式有 即是实验中所观察到的霍尔电阻率表达式。简单地理解，可以回到哈密顿量中，含有坐标项，即等价于在y方向有一简谐振动势，y方向的运动量子化了，在x-y平面内做回旋运动，系统就具有和空间谐振子类似的分离能级，就是前面说到的朗道能级（17式），w为回旋频率。当磁场增强时，经典的拉莫尔运动轨道半径减小，当它达到可以和载流子的德布罗意波长相比时，量子效应显著。拉莫尔轨道应该等于电子波长的整数倍