IGBT管性能和应用论文讲座.docVIP

IGBT管性能和应用讲座 ???(a)中可以看出．它是?由一个N沟道的MOSFET和一个PNP型GTR组成，它实际是以GTR为主导元件，以MOSFET为驱动元件的复合管。图2—24(b)的符号中，G代表栅极，C代表集电极，E代表发射极，P沟道的IGBT符号的箭头方向与此相反。????绝缘栅双极晶体管从1986年至今，发展得非常迅速、日前已经被广泛的应用于各种逆变器中，成为取代GTR的理想开关器件。???????一．绝缘栅双极晶体管的特性和参数????绝缘栅双极晶体管的输出特性类似于GTR的输出特性，绝缘栅双极晶体管的转移特性类似于MOSFET的转移特性，这里不再叙述。??????1．通态电压降????图2—25为高速IGBBT(50A／600?V)和高速MOSFET(50?A／500V)的通态电压降比较。MOSFET的通态电压降在全电流范围内为正温度系数、而IGBT通态电压降在小电流范围内为负温度系数，在大电流范围内为正温度系数。?????2．关断损耗????图2—26是在感性负载时，高速IGBT与MOsFET的关断损耗与集电极电流的关系。由图可知*常温下，IGBT的关断损耗与MOSFET的大致相同。高温时，MOSFET的关断损耗基本不变，与温度无关，而IGBT则不然，温度每增加100℃，损耗增大约2倍。因此，IGBT的关断损耗要大些。 ???????3.开通损耗????在电动机的驱动电路系统中，要接人续流二极管，而续流二极管的反向恢复特性将影响IGBT的开通损耗，使用快速恢复二极管将降低IGBT的开通损耗。图2—27是IGBT与MOSFET的开通损耗比较。????4．安全工作区????(1)擎住效应????IGBT为四层结构．这使其体内存在一个寄生晶体管,其等效电路如图2-28所示??同时，在这个寄生晶体管的基极与发射极之间并联—个扩展电阻Rb?当IGBT的集电极与发射极之间有电流Ic流过时，在此电阻上将产生正向偏置电压。不过．在规定的IGBT集电极电流Ic范围内，这个正向偏置电压不大，对寄生晶体管不起作用。但当集电极电流Ic达到一定程度的时候．该正向偏置电压足以使寄生晶体管导通，进而使V2和V3都处于饱和状态．栅极失去控制作用，这就是所谓擎住效应。IGBT发生擎住效应后，集电极电流Ic增大．造成过大的功耗，导致器件损坏。可见，集电极电流有一个临界值Icm，当Ic＞Icm时．便会发生擎住效应。为此规定了集电极通态电流的最大佰Icm·以及相应的栅射极间电压的最大值Vcem?超过此界限将发生擎住效应。??????在IGBT关断的动态过程中，如果dVce/dt过高，产生的位移电流流过扩展电阻Rhr时，也可以产生足以使寄生晶体管导通的正向偏置电压，形成擎住效应。为了防止擎住现象的发生，使用时要保证IGBT的电流不要超过Icm值，同时，用增加栅极电阻Rg的方法来延长IGBT的关断时间，以减小dVce／dt值。????值得指出的是，动态擎住所允许的集电极电流比静态擎住所允许的要小，所以生产厂商所规定的Icm值是按动态擎住所允许的最大集电极电流来确定的。 ?????2)安全工作区????安全工作区反映了—个开关器件同时承受一定电压和电流的能力.IGBT导通时的正向偏置安全工作区，是由集电极电流的最大值Icm?集射极电压的最大值Vcem和功耗3条边界极限包围而成的，如图2—29(a)所示。????最大集电极电流Icm限制了动态擎住现象的发生；最大集射极电压Vcem限制了IGBT被正向电压击穿，最大功耗则是由最高允许结温所决定，导通时间越长，发热越严重，安全工作区就越小，????图2—29(b)是IGBT关断时的反向偏置安全工作区。它随IGBT关断时的dVce／dt而改变，dVce／dt越高、安全工作区就越小。??????表2—4列出了东芝和IXYS公司生产的某种IGBT产品的参数。  ???二?IGBT管的驱动要求???1.对栅极的驱动要求???IGBT的栅极驱动条件关系到他的静态特性和动太特性,一切都围绕着开关时间、减小开关损耗、保证电路可靠的工作为目标。因此．对IGBT的栅极驱动电路提出如下要求。????①IGBT与MOSFET都是电压型驱动开关器件．部具有一个2．5—5v的开栅门槛电压，有—个电容性输入阻抗，因此，IGBT对栅极电荷聚集非常敏感。所以，驱动电路必须很可靠，要保证有一条低阻抗值的放电回路．即驱动电路与IGBT的连线要尽量短。????②用内阻小的驱动源对栅极电容充、放电，以保证栅极控制电压Vge有足够陡的的前、后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。另外，IGBT开通后．栅极驱动源应能提供足够的功率，使IGBT不会中途退出饱和而损坏。????③驱动电路要能提供