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3. 磁敏二极管的主要特性 (1)磁电特性:在给定条件下,磁敏二极管的输出电压变化量与外加磁场间的变化关系。 图6-13 磁敏二极管磁电特性曲线 正向磁灵敏度大于反向 互补使用时,正、反向磁灵敏度曲线对称,且在弱磁场下有较好的线性 (2)伏安特性 在给定磁场情况下,磁敏二极管两端正向偏压和通过它的电流的关系曲线。如图6-14所示。不同种类的磁敏二极管伏安特性也不同。 图6-14 磁敏二极管伏安特性曲线 (3)温度特性 一般情况下,磁敏二极管受温度的影响较大。反映磁敏二极管的温度特性好坏,也可用温度系数来表示。硅磁敏二极管在标准测试条件下 的温度系数小于+20mV/℃, 的温度系数小于0.6%/℃。而锗磁敏二极管 的温度系数小于-60mV/℃, 的温度系数小于1.5%/℃。所以,规定硅管的使用温度为-40~+85℃,而锗管则现定为-40~+65℃。 指在标准测试条件下,输出电压变化量(或无磁场作用时输出电压)随温度变化的规律。 图6-15 磁敏二极管温度特性 ( 4)频率特性 硅磁敏二极管的响应时间,几乎等于注入载流子漂移过程中被复合并达到动态平衡的时间。所以,频率响应时间与载流子的有效寿命相当。硅管的响应时间小于 ,即响应频率高达1MHz。锗磁敏二极管的响应频率小于10kHz。 图6-16 锗磁敏二极管频率特性 1. 流量测量 磁敏二极管用环氧树脂封装在导流头内,由导磁体同涡轮上的针形磁铁构成磁回路。磁敏二极管是不动的,当装在涡轮上的磁铁随涡轮旋转到一定位置时,磁敏二极管输出一个脉冲信号。经运算放大器放大后送到频率计,指示出流量值。 这种流量计所测最小流量为0.5m3/日,涡流转速 60r/min ~2700r/min范围内都可以使用。 图6-28 磁敏二极管涡流流量计 2. 磁敏二极管漏磁探伤 利用磁敏二极管可以检测弱磁场的变化这一特性,可以制成漏磁探伤仪。 钢棒被磁化部分与铁心构成闭合磁路。由激磁线圈感应的磁通通过棒材局部表面,若没有缺陷存在,探头附近则没有泄漏磁通,因而探头没有信号输出。如果棒材有局部缺陷,那么,缺陷处的泄漏磁通将作用于探头上,使其产生信号输出。 图6-29 漏磁探伤原理图 6.3.3 磁敏晶体管 1. 磁敏晶体管的结构工作原理 NPN型磁敏晶体管是在弱P型近本征半导体上,用合金法或扩散法形成三个结——即发射结、基极结、集电结所形成的半导体元件。其最大特点是基区较长,在长基区的侧面制成一个复合率很高的高复合区 。在 区的对面保持光滑的无复合的镜面,长基区分为输运基区和复合基区两部分。 图6-17 磁敏晶体管结构与符号 2. 工作原理 磁敏晶体管的基区宽度大于载流子有效扩散长度,因而注入的载流子除少部分输入到集电极外,大部分通过e-I-b 而形成基极电流 当受到正向磁场作用时,由于洛仑兹力作用,载流子向发射结一侧偏转,从而使集电极电流明显下降 当受反向磁场作用时,载流子在洛仑兹力作用下,向集电结一侧偏转,使集电极电流增大 磁敏晶体管工作原理与磁敏二极管完全相同。在正向或反向磁场作用下,会引起集电极电流的减少或增加。因此,可以用磁场方向控制集电极电流的增加或减少,用磁场的强弱控制集电极电流的增加或减少的变化量。 3. 磁敏晶体管的主要特性 (1)磁电特性: 磁电特性是磁敏晶体管最重要的工作特性之一。例如,国产NPN型3BCM锗磁敏晶体管的磁电特性曲线如图6-19所示。在弱磁场作用下,曲线接近一条直线。 图6-19 3BCM的磁电特性 (2)伏安特性 磁敏晶体管的伏安特性类似普通晶体管的伏安特性曲线。图6-20a为不受磁场作用时磁敏晶体管的伏安特性曲线 图6-20b给出了磁敏晶体管在基极恒流条件下( )集电极电流的变化的特性曲线。 图6-20 磁敏晶体管伏安特性曲线 (3)温度特性 磁敏晶体管对温度也是敏感的。 3ACM、3BCM磁敏晶体管的温度系数为0.8%/℃;3CCM磁敏晶体管的温度系数为-0.6%/℃。 图6-21 3BCM磁敏晶体管的温度特性 返回本章目录 6.4 磁电式传感器的应用 6.4.1 霍尔传感器的应用 特点:霍尔传感器结构简单、工艺成熟、体积小、寿命长、线性度好、频带宽。 应用:用于测量磁感应强度、电功率、电能、大电流、微气隙中的磁场; 用以制成磁读头、磁罗盘、无刷电机; 用于无触点发信,做接近开关、霍尔电键; 用于制成乘、除、平方、开方等计算元件; 用于制作微波电路中的环行器、隔离器等等。 用于非磁量的检测和控制,如测量微位移、转速、加速度、振动、压力、流量、液位等等。 6.4.2
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