半导体材料外延生长资料讲解.ppt

* MBE的设备 生长室内设有多个内有BN或石英、石墨制的坩埚，外绕钨加热丝并用热电偶测温的温控炉。分别用来装Ga、In、Al和As以及掺杂元素Si(N型掺杂)、铍Be(P型掺杂)。温度控制精度为±0．5℃。在热平衡时气态分子(或原子)从坩埚开口处射出形成分子束射向衬底。由在炉口的快门控制分子束的发射与中止。 在分子束发射炉对面设置带有加热器的衬底架，利用In或Ga将衬底黏附在衬底架上。为了对衬底表面清洁处理还装有离子枪。监控系统一般包括四极质谱仪，俄歇谱仪和高、低能电子衍射仪等。 四极质谱仪用来监测残余气体和分子束流的成分。低能电子衍射仪可分析晶体表面结构，高能电子衍射仪还可以观察生长表面光洁平整度。。 各监测仪器所得信号，分子束发射炉温度信号等输入微机进行处理，自动显示并调节温度和快门，按编制的程序控制生长，以获得结构、组分、厚度等均符合要求的外延片。 质谱分析法是 通过对被测样品离子的质荷比的测定来进行分析的一种分析方法。被分析的样品首先要离子化，然后利用不同离子在电场或磁场的运动行为的不同，把离子按质荷比（m/z）分开而得到质谱，通过样品的质谱和相关信息，可以得到样品的定性定量结果。 低能电子衍射利用10-500eV能量电子入射，通过弹性背散射电子波的相互干涉产生衍射花样。低能电子衍射仪可分析晶体表面结构。 背散射电子：被固体样品的原子核反弹回来的一部分入射电子 俄偈电子 当原子内层因电离激发而留下一个空位，较外层电子向这一能级跃迁使原子释放能量过程中，可以发射一个具有特征能量的X-ray光子，也可以将这部分能量交给另一外层电子引起进一步电离，从而发射一个具有特征能量的电子，此电子称为俄偈电子 。 俄歇谱仪通过检测俄偈电子的能量和强度，可获得表层化学成分的定性或定量信息，用来检测表面成分，化学计量比，表面沾污等 低能电子衍射仪分析晶体表面结构 高能电子衍射仪观察生长表面光洁平整度。 俄歇谱仪通过检测俄偈电子的能量和强度，可获得表层化学成分的定性或定量信息，用来检测表面成分，化学计量比，表面沾污等 MBE生长原理 MBE生长过程可分为两个步骤： 一是源蒸发形成具有一定束流密度的分子束, 并在高真空条件下射向衬底； 二是分子束在衬底上进行外延生长 MBE生长原理 1．源的蒸发 MBE使用的分子束是将固态源装在发射炉中靠加热蒸发而得到的。这对于元素比较简单，但对于化合物半导体则比较复杂，如一个二元化合物MX(M为金属，x为非金属)，在蒸发源处于热平衡状态时，挥发性组分的束流比难挥发组分要大得多，因此用化合物做挥发性组分的源比较合适，比如用GaAs做As源就能提供合适的分子束流，而Ga及掺杂元素一般用其本身做源。 由发射炉发射的分子束，在单位时间内到达单位面积衬底上的分子数目(也就是分子束通量密度)，可由统计热力学求得为 R = 3．51×1022(p平一p背)(1／MT) ? 　(7—6) 式中，p平为生长室内平衡气压，p背为背景蒸气压，M为分子束分子的分子量，T为温度。由于MBE中 p平》p背，因此上式简化为 R = 3．51×1022　p平(1／MT) ? (7—7) MBE生长过程 入射到衬底表面的分子(或原子)与衬底表面相互作用，有一部分分子生长在衬底上 生长在衬底上的分子数与入射的分子数之比称为黏附系数。 不同种类的分子与衬底表面作用是不同的，例如Ⅲ族(Ga)原子与GaAs衬底表面发生化学吸附作用，因此，在一般的生长温度，其粘附系数为1。而V族(As)分(原)子则先是物理吸附，经过一系列物理化学过程后一部分转为化学吸附，因此，它的粘附系数与衬底表面的分子(原子)状态及温度等密切相关。 以As为源形成分子束时，一般得到的是As4分子束，而以GaAs为源或在高温下分解As4时可得到As2分子束。这两种分子束在GaAs衬底上的行为好像相同，先被物理吸附形成弱束缚状况，然后再进行化学吸附结合到晶格格点上。但这两者的具体过程上却是不同的，所生长的GaAs的性质也有一些差别。 当As2束入射到GaAs上时，先形成物理吸附，并以As2的形式在表面移动， 遇到As空位时(有Ga原子时)，As2便分解成As，变为化学吸附，形成Ga-As键，生长在晶格点上。 如果没有As空位(没有Ga原子)时，As2不分解并且脱附或在600K的温度下形成As4而脱附。 若表面有很多空位(Ga原子)时，As2的粘附系数将接近1。 入射的是As4束时，如衬底温度为300～450K，并且没有Ga束