百瓦级多芯片半导体激光器稳态热分析.pdfVIP

43 卷 5 期 红外与激光工程 2014 年5 月 Vol.43 No.5 Infrared and Laser Engineering May 2014 百瓦级多芯片半导体激光器稳态热分析 王 文，高 欣，周泽鹏，许留洋，周 路，薄报学 (长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室，吉林 长春 130022) 摘 要 半导体激光器在各领域的广泛应用要求其输出功率不断提高，使得多芯片集成封装大功率 半导体激光器的发展成为主流之一。针对典型的12 只芯片以阶梯形式封装的百瓦级激光器，利用 ANSYS 软件进行了稳态热分析，模拟得出芯片有源区温度及其热耦合温升与热沉结构尺寸变化的关 ， 。 系曲线 分析了该激光器热特性，进而提出一种使芯片 热较好的热沉结构 关键词 百瓦级半导体激光器； ANSYS ； 有源区； 热耦合； 热沉 中图分类号 TN248.4 文献标志码 A 文章编号 1007-2276(2014) 05-1438-06 Steady state thermal analysis of hundred watt semiconductor laser with multichip packaging Wang Wen, Gao Xin, Zhou Zepeng, Xu Liuyang, Zhou Lu, Bo Baoxue (National Key Lab on High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China) Abstract: The semiconductor lasers are widely used in various fields, this requires that their output power is increasingly improved , so the development of high power semiconductor laser with multichip鄄packaging is one of mainstream. A typical hundred鄄watt semiconductor laser packaged with 12 chips in ladder form was analyzed in thermal steady鄄state, obtaining the rule curves of the temperature of active region of chip and temperature rise by thermal coupling in different parameters of heat sink, and a heat sink structure with better heat dissipation was put forward. Key words: hundred鄄watt semiconductor laser; ANSYS; active region; thermal coupling; heat sink 稿日期 2013-09-20 曰 修订日期 2013-10 -07 基金项目 家自然科学基金 曰吉林省科技发展计划 作者简介 王文(1988 -) 袁男