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第 期 华东师范大学学报（自然科学版）
２ Ｎｏ．２
年 月 （ ）
２００９ ３ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＥａｓｔＣｈｉｎａＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔ ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅ Ｍａｒ．２００９
ｙ
文章编号： （ ）
１０００５６４１２００９０２０１２９０７
聚噻吩及聚 辛基噻吩结构与导电性能研究
３
韩菲菲， 梁 旦， 王红敏， 唐国强， 徐学诚
（华东师范大学 物理系 纳米功能材料与器件研究中心，上海 ２０００６２）
摘要：采用化学氧化法在不同温度下制备聚噻吩和聚 辛基噻吩，通过红外光谱（ ）， 衍
３ ＦＴＩＲ Ｘ
射分析（ ），核磁共振谱图（ ）， 光电子能谱（ ）和紫外可见光谱（ ）等手段对
ＸＲＤ ＮＭＲ Ｘ ＸＰＳ ＵＶＶｉｓ
聚合物进行了研究 结果表明，聚噻吩侧链基团和制备温度会影响聚合物的构型结构，引起聚合
．
物结晶度的变化 聚 辛基噻吩结晶度最低，低温制备的聚噻吩结晶度最高 导电性能研究表
． ３ ．
明，聚噻吩的构型结构和结晶度直接影响其电导率．
关键词：聚噻吩； 聚 辛基噻吩； 侧链； 导电性能； 结晶度
３
中图分类号：Ｏ６３２．１ 文献标识码：Ａ
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