一种高带宽NP型CMOSAPD研究.pdfVIP

第44 卷第2 期 红外与激光工程 2015 年2 月 Vol.44 No.2 Infrared and Laser Engineering Feb.2015 一种高带宽 NP 型 CMOS APD 的研究 王 巍，王 川，颜琳淑，杜超雨，王 婷，王冠宇，王 振，冯世娟 (重庆邮电大学 光电工程学院，重庆 400065) 摘 要 提出了一种高带宽的硅基CMOS 雪崩光电二极管(APD)器件。该器件在 N 阱/P 衬底基本结 构的基础上，增加一个 N 型深掩埋层，并在该掩埋层单独加上电压，以减小载流子的输运时间。通过 理论分析确定了器件的结构参数，通过器件性能的仿真分析对相关参数进 了优化设计。仿真结果 表明：采用标准0.18 滋m CMOS 工艺，所设计的APD 器件的窗口尺寸大小为20 滋m伊20 滋m ，在反向偏 压为16.3 V 时，器件的雪崩增益为20 ，响应度为0.47 A/W ，3 dB 带宽为8.6 GHz 。 ； 关键词 雪崩光电二极管 CMOS APD ； 带宽 中图分类号 TN722 文献标志码 A 文章编号 1007-2276 (2015) 02-0699-06 NP type CMOS APD with high frequency bandwidth Wang Wei, Wang Chuan, Yan Linshu, Du Chaoyu, Wang Ting, Wang Guanyu, Wang Zhen, Feng Shij uan (College of Electronics Engineering , Chongqing University of Posts and Telecommunications , Chongqing 400065, China) Abstract: A newly modificated silicon (Si) avalanche photodetector (APD) desinged by standard complementary metal -oxide -semiconductor (CMOS) process was proposed in this paper. The basic structure of the Si APD which was formed by N -well/ P -substrate was modificated with a deep N well below space charge area , and a independent voltage was applied on the deep N well to minish the transit time of electron hole pairs . The diffusion velocity and the drifting velocity can be improved at the same time, therefore, the 3-dB bandwidth will increase .