半导体物理学讲义分析报告.pdf

Mine 论坛友情提供： 欢迎访问交流半导体物理经验 第一章 半导体中的电子状态 本章介绍： 本章主要讨论半导体中电子的运动状态。主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导 体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了 有效质量的概念。阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。最后，介绍了 Si、 Ge 和 GaAs 的能带结构。 第一节 半导体的晶格结构和结合性质 本节要点 1.常见半导体的 3 种晶体结构； 2.常见半导体的 2 种化合键。 1. 金刚石型结构和共价键 重要的半导体材料 Si、Ge 都属于金刚石型结构。这种结构的特点是：每个原子周围都 有四个最近邻的原子，与它形成四个共价键，组成一个如图 1 （a ）所示的正四面体结构， 其配位数为 4 。 金刚石型结构的结晶学原胞，是立方对称的晶胞如图 1 （b ）图所示。它是由两个相同 原子的面心立方晶胞沿立方体的空间对角线滑移了 1/4 空间对角线长度套构成的。立方体顶 角和面心上的原子与这四个原子周围情况不同，所以它是由相同原子构成的复式晶格。其固 体物理学原胞和面心立方晶格的取法相同，但前者含两个原子，后者只含一个原子。 原子间通过共价键结合。共价键的特点：饱和性、方向性。 2. 闪锌矿结构和混合键 III-V 族化合物半导体绝大多数具有闪锌矿型结构。闪锌矿结构由两类原子各自组成的 面心立方晶胞沿立方体的空间对角线滑移了 1/4 空间对角线长度套构成的。每个原子被四个 异族原子包围。 两类原子间除了依靠共价键结合外，还有一定的离子键成分，但共价键结合占优势。 Mine 论坛友情提供： 欢迎访问交流半导体物理经验 在垂直于[111]方向，闪锌矿结构是由一系列 III 族原子层和 V 族原子层构成的双原子层 堆积起来的。 3. 纤锌矿型结构 纤锌矿型结构和闪锌矿型结构相接近，它也是以正四面体结构为基础构成的，但是它具 有六方对称性，而不是立方对称性，图 2 为纤锌矿型结构示意图，它是由两类原子各自组成 的六方排列的双原子层堆积而成。两类原子的结合为混合键，但离子键结合占优势。 第二节 半导体中的电子状态和能带 本节要点 1. 电子的共有化运动，.导带、价带、禁带的形成； 2.周期性波函数； 3.导体、半导体、绝缘体的能带与导电性能的差异。 1.原子的能级和晶体的能带 电子共有化运动：由于相邻原子的“相似”电子壳层发生交叠，电子不再局限在某 一个原子上而在整个晶体中的相似壳层间运动，引起相应的共有化运动。 能级的分裂：n 个原子尚未结合成晶体时，每个能级都是 n 度简并的，当它们靠近结合 成晶体后，每个电子都受到周围原子势场的作用，每个 n 度简并的能级都分裂成 n 个彼此相 距很近的能级。 允带、禁带的形成：同一能级分裂的n 个彼此相近的能级组成一个能带，称为允带，允 带之间因没有允许能级，称为禁带。 2. 半导体中的电子的状态和能带 自由电子具有波粒二象性，遵守定态薛定谔方程； → → h k v ＝ m 0 （1-1） → → p h k ＝ （1-2） 2 2