硅基贵金属膜材料的制备、形貌控制及性质分析.pdf

中文摘要 本论文研究了硅基贵金属膜材料的制备、形貌控制及其在光学、电学及催化 等性能的应用研究。应用电化学方法如循环伏安法(CV)、电化学直流极化法及 X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱等技术来研究所制膜材 料的性质和分析金属的沉积机理，实现了由“材料制备”、“材料组成形貌分析” 到“材料应用的交叉、系统性研究。论文的主要内容如下： 1．应用循环伏安法研究沉积在硅表面的Ag的阳极溶出行为，开展银在0．01 mol／L AgN03溶液对单晶硅微污染情况的研究。结果表明Ag的沉积速率是相当快 rain及1h后硅表面金属银的表面 的，几乎1s内就能完成。进一步计算沉积1s，10 覆盖量(11)，得出在该溶液硅表面得到的Ag层仅为一个单层。(参见第二章) 2．电化学直流极化法和开路电位时间曲线(Ocp．t)技术研究了不同HF浓度下 Ag在硅表面的无电沉积行为。这两种电化学测试结果及AFM结果都证明了HF 浓度的增加促进硅表面能级的下降，进而有利于Ag的3D生长。本文根据混合 评价金属沉积速率的快慢。K一业(鲫)／I值与ICP-AES结果作了比较，表明沉积速 率随HF浓度的增加而增加，但不是线性关系。最后应力(Stress)产生与释放机 制用来解释实验结果。(参见第二章) 3．用金属无电沉积技术在NH4F-AgN03溶液50oC下，既制备有序树枝状Ag 纳米晶又同时得到浅层多孔硅纳米层。自组装定位微观电解池模型和极限扩散聚 合(diffusion-limited 认为Ag树枝纳米结构是由于VW层小的纳米粒子连续不断的聚集生长而得到 的。浅层均匀的多孔硅纳米结构显示了室温下可见光发光特性。表面增强拉曼散 射光谱(SERS)的研究证明了这种负载在多孔硅表面的树枝状Ag膜是很好的 SERS活性基体，具有高的拉曼增强效应。(参见第三章) 4．枝状分级的Ag纳米树枝通过简单的置换反应制备，即将HF—AgN03溶液滴 在硅表面即可。实验中观察到树枝结构生长中的形貌多样性；Ocp．t曲线现场记 录了硅／溶液的界面开路电位的表面，以揭示结构演变的过程；XRD表征所得沉 积物的晶体结构；定位生长方向的选择取决于固／液界面能的理论和取向连接机 理用于解释树枝结构生长中存在形貌多样性的现象。最后以罗丹明B(RB)为探 针分子研究了这种树枝纳米Ag膜的SERS活性，表明这种简单的置换方法是制 备SERS活性基底一种很有效的方法，可用于传感、选择性检测。(参见第三章) 5．首先在HF．HAuCl4溶液50oC下用无电沉积技术制备硅基有序树枝状纳米 Au膜，然后在其表面自组装2．巯基萘单分子膜。以铁氰化钾为电子转移探针试剂， 单分子膜的电化学实验表明2．巯基萘分子并不能完全阻隔电子在Au膜与铁氰化 钾间的转移；0．5mol／LNaOH溶液中的电化学脱附实验证明2．巯基萘分子是以形 成Au．S键的化学吸附形式自组装在Au膜上。表面增强拉曼散射光谱证明树枝状 纳米Au基底的自组装2．巯基萘单分子膜具有很高的表面拉曼增强效应。(参见第 三章) 6．应用无电沉积技术在HF溶液制备了VW结构和树枝结构的W掺杂Ag膜。 通过比较与仅含有金属Ag相应结构的膜材料的沉积行为，发现在所得的Ag-W 二元组成体系中Ag的沉积生长起主导作用，并不受钨酸根离子大的影响；提出 了w元素掺杂的理论模型，即W元素的掺杂是在Ag的沉积过程中通过钨酸根 二聚体中的O原子与金属银的化学吸附一形成Ag．O化学键而实现的。CV用于 检测Ag与O间的化学键作用力的大小。高温空气中退火实验表明了所得到的 Ag．W二元组成物质具有良好的抗氧化能力。(参见第四章) 7．应用电沉积法导电玻璃(ITO)基体制备Pd／W03组成膜材料，电解液为50 mmol／L mmol／L过氧化钨溶液+5 PdCl2。膜材 wt．％十二烷基硫酸钠(SDS)+5 料的形貌和组成由扫描电子显微镜、能量散射能谱、X射线光电子能谱(XPS) 和X射线衍射分析和表征。W03对电催化氧化肼化合物的增强效应进行了研究， 仅为62衅，主要原因归结于W03的添加对Pd纳米粒子起到很好的分散作用。