第讲晶体三极管讲义.pptVIP

讨论一 1、分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态； 2、已知T导通时的UBE＝0.7V，若当uI=5V，则β在什么范围内T处于放大状态，在什么范围内T处于饱和状态？ 通过uBE是否大于Uon判断管子是否导通。 临界饱和时的 讨论二 由图示特性求出PCM、ICM、U（BR）CEO、β。 2.7 ΔiC uCE=1V时的iC就是ICM U（BR）CEO * 说明： 将内部载流子的运动是以更好地理解外特性为目的。 本节课的教学目的： 1、晶体管能够放大的内部原因和外部条件是什么？为什么在上述情况下会放大？ 2、什么是晶体管的共射输入、输出特性？温度对它们有什么影响？ 3、理解晶体管三个工作区的特点，学会判断电路中晶体管工作状态的方法。 4、掌握晶体管主要参数的物理意义。 * * * * * * * * * * * * * * * * * 先突出主要矛盾，讲发射电子的运动及形成的电流；再讲少子的运动及对各极电流的影响。 PNP * 实当IB=0时，集电极回路的电流并不真正为零，而是有一个较小的穿透电流ICEO。一般硅三极管的穿透电流较小，通常小于1微安，所以在输出特性曲线上无法表示出来。锗三极管的穿透电流较大，约为几十～几百微安。可以认为当发射结反向偏置时，发射区不再向基区注入电子，则三极管处于截止状态。所以，在截止区，三极管的发射结与集电结都处于反向偏置状态