GaN材料位错按深度分布的表征及其位错和点缺陷关系研析.pdfVIP

摘要 摘要 其材料制备的主流工艺为异质外延技术。与衬底之间的晶格失配和热失配使得异 器件的性能和可靠性。常用的位错表征方法如蚀坑法、缀饰法、电镜法等对被测 材料具有破坏性。X射线衍射(XRD)法能够对GaN材料作无损检测，但常规测试不 能获得位错类型及其密度在薄膜深度上的分布，而该分布信息对GaN材料的生长动 力学、缺陷形成机理和抑制方法以及GaN器件的性能和可靠性分析等研究具有重要 意义。在XRD研究位错沿GaN单晶材料深度方向的分布方面，目前的研究只能得 这几种效应区分开。在此背景下，本文对GaN材料中的位错密度按深度分布的表征 测量方法展开研究，并以GaN光致发光谱中的黄带现象为纽带对刃位错与点缺陷之 间的关系进行研究，主要的研究工作及成果如下： 顶向下逐个薄层测量GaN材料位错按深度分布的完整原理模型，以及实验测试的 具体实施方案和数据处理方法。 系，提出了实现不同类型位错按深度分布的测量对晶面的选择原则，实现了螺位 错和刃位错各自在深度分布上的测量，突破了常规按深度分布测量不能很好的区 分出Tilt和Twist的局限，得到按深度分布表征螺位错和刃位错效果最好的原子面 分别为(103)面和(101)面，并将该测量方法在其他材料结构中进行了一般化推广。 根据测得XRC的FWHM值同测量原子面倾角的相关性，通过拟合方法得到GaN 材料(101)面的刃位错系数为1．0961。 3．基于上述方法研究了具有AlN体插入层的蓝宝石衬底GaN外延材料中的 位错运动特性，发现不管是螺位错还是刃位错，其在成核层附近具有最高的密度， 并且在成核层上方约150nm(该厚度与衬底和成核条件等有关)范围内出现一次集 中的湮灭导致位错密度剧烈的下降。AIN体插入层虽然在短程范围内会引入更多 的刃型位错，但整体上讲其能有效促进刃位错的湮灭，并在一定程度上也能促使 螺位错的湮灭。 4．提出了以XRD28一缈扫描研究GaN薄膜材料的应变按深度分布的原理模 型和数据处理方法。对具有AIN体插入层的蓝宝石衬底GaN外延材料的应变按深 GaN材料位错按深度分布的表征及位错与点缺陷关系的研究 度分布的研究发现GaN材料所受应力类型为压应力，应变随深度的变化趋势同位 错变化趋势有较强的相关性，提出了位错的产生或湮灭在一定程度上会导致晶格 常数变化的观点。最后通过Raman散射实验证实了我们的分析。 5．通过第一性原理计算分析MOCVD生长环境下生长的GaN材料中本征点 缺陷的存在情况，表明不论是富N或准富N生长条件下生长的GaN薄膜体材料， 只要其为n型电导，则与本征点缺陷相关的缺陷中Ga空位或与Ga空位相关的复 合体最容易形成，在有黄带发光的材料中有其可能是产生黄带的主要原因之一。 6．通过多样片光致发光(PL)谱测量和位错按深度分布的XRD测量发现样片 材料的黄带强度与带边峰强度之比(厶／，。F)同材料表层150nm范围内的刃位错密 度具有强烈的相关性。分析认为刃位错周围局部的弹性应力场和库伦势场对点缺 陷有聚集作用，因而表层刃位错密度越高的样片吸附的点缺陷越多，表现为引起 的黄带越强。 关键词：X射线衍射位错应变黄带点缺陷 Abstract Abstract semiconductors andInNmaterialsanddeviceshave III-nitride GaN，AIN including for ofthe been attentiontheir recentlyattractinggreat prominent andlow main to high decompositiontemperature，thetechnique meltingtemperature III—n