集成电路设计基础摘要.pptVIP

三、工艺器件 4、器件模型 1）二极管模型 二极管是相对简单一点的器件。 参数名 公式符号 SPICE符号 单位 饱和电流 IS IS A 发射系数 n N 串联体电阻 RS RS Ω 渡越时间 τT TT s 零偏势垒电容 Cj0 CJ0 F 梯度因子 m M PN结内建势垒 V0 VJ V 三、工艺器件 4、器件模型 1）二极管模型 二极管是相对简单一点的器件。 下面给出一个普通二极管的工艺模型数据： .MODEL DIODE D(IS=5.3253E-12 N=3.4748 + RS=1.0000E-3 CJO=1.0000E-12 M=.333 + VJ=.75 ISR=100.00E-12 BV=120 + IBV=1.00E-6 TT=5.0000E-9) 三、工艺器件 4、器件模型 2）三极管模型 三极管是比较复杂一点的器件。 参数名称 公式中符号 SPICE符号 单位 饱和电流 IS IS A 理想最大正向电流增益 αF BF 理想最大反向电流增益 αB BR 正向厄立电压 VAF VAF V 反向厄立电压 VAR VAR V 衬底结指数因子 ms MJS 衬底结内建电势 Vs0 VJS V 正向渡越时间 τF TF s 三、工艺器件 4、器件模型 2）三极管模型 三极管是比较复杂一点的器件。 .MODEL NPN NPN + IS=1.501E-12 BF=772.1 NF=1 VAF=100 + IKF=.1298 ISE=163.8E-12 NE=1.998 BR=499.5 + NR=1 VAR=100 IKR=19.98 ISC=1.536E-12 + NC=2.997 RB=1.101 NK=.5077 + RE=0 RC=.1498 EG=1.110 + CJE=316.6E-12 VJE=.436 MJE=.2878 TF=16.416E-9 + XTF=1 VTF=10 ITF=10.00E-3 CJC=189.3E-12 + VJC=.6244 MJC=.1866 XCJC=.9 FC=.5 + TR=13.837E-9 三、工艺器件 4、器件模型 3）MOS管模型 MOS管是比较复杂一点的器件。 序号 参数名称 参数含义解释 单位 默认值 1 LEVEL 模型级别 2 VTO 零偏置阈值电压 V 0.0 3 KP 本征跨导参数 A/V2 2.0×10-5 4 IS 衬底结饱和电流 A 1.0×10-15 5 RSH 源漏扩散方块电阻 Ω/口 0.0 6 TOX 栅氧化层厚度 m 1.0×10-7 7 LD 沟道横向扩散长度 m 0.0 三、工艺器件 4、器件模型 3）MOS极管模型 MOS极管是比较复杂一点的器件。 .model nmos nmos + Level=2 Ld=0.0u Tox=225.00E-10 + Nsub=1.066E+16 Vto=0.622490 Kp=6.326640E-05 + Gamma=.639243 Phi=0.31 Uo=1215.74 + Uexp=4.612355E-2 Ucrit=174667 Delta=0.0 + Vmax=177269 Xj=.9u Lambda=0.0 + Nfs=4.55168E+12 Neff=4.68830 Nss=3.00E+10 + Tpg=1.000 Rsh=60 Cgso=2.89E-10 + Cgdo=2.89E-10 Cj=3.27E-04 Mj=1.067 + Cjsw=1.74E-10 Mjsw=0.195 三、工艺器件 5、MOS器件特性 MOS晶体管是目前应用非常普遍的一种器件，不管是数字集成电路还是模拟集成电路。 下面我们简单讨论一下MOS晶体管的特性。 1）I-V特性 2）C-V特性 3）特性参数 三、工艺器件 5、MOS器件特性 1）I-V特性 MOS晶体管可以看成一个平板电容，因此可以用电容的特性来分析MOS晶体管的特性。 三、工艺器件 5、MOS器件特性 2）C-V特性 MOS晶体管可以看成一个平板电容，但工作电压改变时，电容的绝缘介质在改变。 因此其电容特性也随着工作电压的改变而改变。 三、工艺器件 5、MOS器件特性 3）特性参数 MOS晶体管的常用特性参数包括宽长比、阈值电压、导通电阻、跨导、最