光电子器件_第六章ccd和cmos重点解析.ppt

第6章 ccd和cmos成像器件 6.1.2 图像传感器的分类 6.2 电荷耦合器件的结构和工作原理6.2.1mos结构特征 CCD是一种半导体器件 平带条件下的能带 加上正电压MOS电容的能带 有信号电荷的势阱 当MOS电容器栅压大于开启电压UG，周围电子迅速地聚集到电极下的半导体表面处，形成对于电子的势阱。 6.2.3电荷耦合原理 ６．2.３ 电荷耦合原理 6.2.4 CCD的电极结构 1.三相单层铝电极结构 2. 三相电阻海结构 3. 三相交叠硅栅结构 5. 阶梯状氧化物结构 6. 四相CCD 6.2.5转移信道结构 体沟道CCD （BCCD) 6.2.6 通道的横向限制 　　　如果电极间距较大，势阱形状将发生弯曲变化，会使信号电荷漏出，外面的电荷也会漏进来。为了限制势阱的横向范围，形成一个高势能的位垒，将沟道与沟道隔开。目前的横向限制工艺有沟阻扩散和氧化物台阶法。 １、加屏蔽电场： 　　　在屏蔽极上施以与栅极极性相反的电压，以吸收多子，造成多子在耗尽层内横向边界上的堆积，以限制耗尽层区的横向扩展。 ２、氧化物台阶法： 　　　氧化物越厚，表面势越小，势阱越浅。使耗尽层以外的氧化层厚度加厚，保证它下面不会深耗尽，自动限制了势垒的高度 ３、沟阻扩散法： 　　　利用掺杂浓度越高，表面势越小，势阱越浅，在同一珊压下，局部掺杂浓度不同。 6.2.6. 电荷的注入和检测 （1）光注入 （2 ） 电注入 (1) 电流注入法 (2) 电压注入法 （3）电荷的检测(输出方式) 6.4 CCD的特性参数 （1） 电荷转移效率η和电荷转移损失率ε （2） 驱动频率 ①　驱动频率的下限 电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间t ，少数载流子的平均寿命为τi 则 ②　驱动频率的上限 电荷从一个电极转移到另一个电极的固有时间为τg 则 6.5电荷耦合成像器件6.5.1 CCD线列图像器件　　线型器件，它可以直接将接收到的一维光信息转换成时序的电信号输出，获得一维的图像信号。若想用线阵CCD获得二维图像信号，必须使线阵CCD与二维图像作相对的扫描运动，所以用线阵CCD对匀速运动物体进行扫描成像是非常方便的。 线型CCD摄像器件的两种基本形式 (1)单沟道线阵CCD (2) 双沟道线阵CCD 6.5.2面阵电荷耦合器件成像器件（ACCID) (2) 行间转移型面阵CCD (3)线转移型面阵CCD ６.６ CMOS图像传感器 2. CMOS成像器件的像敏单元结构 ６.７、CMOS与CCD图像传感器性能比较 CCD与 CMOS图象传感器出货量（单位：百万颗） 6.8、CMOS图像传感器的应用领域 国外芯片厂商： 生产CMOS图像传感器，比较著名的有： Micron（美光） Omni Vision（豪威） Mitsubishi（三菱） Kodak（ 柯达）等。 国内的CIS企业 上海派视尔、上海格科微电子、北京思比科 1.3MegaPixel与2MegaPixel产品。 格科微电子采用的仍然是传统的图形架构，每个像素前面采用单色滤色片，但采用了该公司专利的架构技术，传统Bayer图形架构会造成的色彩干扰问题得以解决；并且这种架构还使图像的层次感较强、显示较为真实；另外在图像处理方面还进行了颜色纠正，保证色彩的充分还原。 派视尔则在集成化方面大做文章。已经推出集成有自动调整聚焦控制器（AF）的200万像素级单芯片CIS。能够充分满足手机市场对图像质量、性能及易用性的要求，同时还能简化模块制造的组装过程。 模拟信号 数字信号 Qin=ηqNeoAtc 式中：η为材料的量子效率；q为电子电荷量； Neo为入射光的光子流速率；A为光敏单元的受光面积；tc为光的注入时间。 如图 （a）所示为电流注入法结构 如图（b）所示为电压注入法结构 输出电流Id与注入到二极管中的电荷量QS的关系 Qs=Iddt 电荷转移效率为 电荷转移损失率为 电荷转移效率与损失率的关系为 1－CCD转移寄存器 2－转移控制栅 3－积蓄控制电极 4—光敏区 SH—转移控制栅输入端 RS—复位控制 VOD—漏极输出 OS—图像信号输出 OG—输出控制栅 线型图像传感器结构 上一页 下一页 返 回 线型CCD图像传感器工作过程 　 线型CCD图像传感器由一列光敏元件与