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CMOS模拟集成电路
实验报告
学 号： 2011303620
姓 名： 李慧
班 级：
组 员：
日 期： 2013.11.9
实验一 MOS管特性分析
, 32 MODEL。
无说明情况下实验采用课本 页给出的
NMOS
LEVEL=1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9
NSUB=9e+14LD=0.08e-6U0=350 LAMBDA=0.1
TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11
MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9JS=1.0e-8
PMOS
LEVEL=1 VT0=-0.8 GAMMA=0.4 PHI=0.8
NSUB=5e+14LD=0.09e-6U0=100 LAMBDA=0.2
TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.94e-3 CJSW=0.32e-11
MJ=0.5 MJSW=0.3 CGDO=0.3e-9 JS=0.5e-8
作业：
1、执行示例中的仿真程序，给出仿真结果。并在NMOS 的栅源电压为1.2V时，
PMOS源栅电压等于1.2V时，分别仿真得出二者漏电流特性曲线。这种情况下，
手工计算出对于NMOS，当V =1V时漏电流、跨导的值；对于PMOSV =1V
DS SD
时漏电流、跨导的值。并与仿真结果比较。
1u
沟道长度设置为 ，观察器件的漏电流有怎样的变化？
a. 1-1 1-2 1-3 1-4
答： 执行示例中的仿真程序，给出仿真结果如图 ，图 ，图 和图
所示。
示例的仿真程序：
**************modelNMOS************************
.MODELNMOS NMOS(
+LEVEL=1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9
+NSUB=9e+14LD=0.08e-6U0=350 LAMBDA=0.1
+TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11
+MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9JS=1.0e-8)
**************modelPMOS************************
.MODELPMOS PMOS(
+LEVEL=1 VT0=-0.8 GAMMA=0.4 PHI=0.8
+NSUB=5e+14LD=0.09e-6U0=100 LAMBDA=0.2
+TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.94e-3 CJSW=0.32e-11
+MJ=0.5 MJSW=0.3 CGDO=0.3e-9JS=0.5e-8)
************************************************
**************netlist*****************************
M1DNGNSNBN NMOSW=1uL=0.5u
M2DPGPSPBP PMOSW=1uL=0.5u
**************source*****************
VDSNDNSN 0
VGSNGNSN 0
VSN
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