数字集成电路第1章摘要.ppt

三部分内容 晶体管、MOS工艺及其寄生效应 晶体管组成的数字电路 MOS管组成的数字电路 参考书 半导体制造技术（国外电子与通信教材系列）电子工业出版社，韩郑生等译 集成电路设计与9天EDA工具应用，东南大学出版社，王志功主编 数字集成电路的分析与设计，电子工业出版社，王兆明主编 CMOS集成电路原理与设计，北京邮电大学出版社，李本俊主编 联系方式 手机地点：G608 Email:wuwei@shu.edu.cn wuwei@staff.shu.edu.cn 双极集成电路的基本制造工艺 选晶片, 光刻, 氧化, 离子注入, 淀积, 刻蚀、选择性、各项异性、湿刻蚀、干法刻蚀、离子反应刻蚀 扩散 双极集成电路的基本制造工艺 掺硼P型硅作为衬底材料并进行初始氧化,以形成二氧化硅表层,然后再进行隐埋层光刻以形成一个窗口后进行N+层掺杂,接着就用外延层所覆盖,故称隐埋层 制作隐埋层后,去除表面的二氧化硅,再进行N型外延层生长 掺P型材料进行隔离扩散. 用第三块掩模版完成基区光刻 双极集成电路的基本制造工艺 基区重掺杂 制作晶体管发射极和集电极 形成表面金属互连接的接触区 完成一层金属铝膜的沉积,然后再介质淀积 在介质层上蚀刻出连接通孔 成第二层金属铝膜的沉积 后续工序,划片,粘片,压焊,封装,测试分类,筛选,成品测试,入库 双极集成电路应用 TTL,DTL,RTL,HTL,ECL STLL,SLTTL,I2L,I3L ASTLL.ASLTTL MOS集成电路工艺 PMOS集成电路 NMOS集成电路 CMOS集成电路 按负载分: E/R,E/E,E/D 增强型MOS、耗尽型MOS  未加栅极电压,无沟道形成,加栅极电压才有沟道-----增强型MOS 未加栅极电压,沟道已形成, -----耗尽型MOS MOS特点 CMOS集成电路具有: 低的静态功耗 宽的电压范围 宽的输出电压幅度 无阈值损失 高速、高密度 可与TTL电路兼容 MOS管的应用范围 SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI、WSF MOSIC、TTLIC、ECL、I2L ASIC PSA SBD LOS CDI PLD,CAD N沟硅柵E/D MOS集成电路工艺 长薄氧 淀积SI3N4 场区光刻---场区注入 场区氧化,光刻出有源工作区 二次薄氧 D管光刻---D管注入 E管光刻---E管注入 去处有源区薄氧 N沟硅柵E/D MOS集成电路工艺 栅氧化 埋孔光刻 多晶硅淀积 磷扩散 漂PSG 多晶硅光刻 源、漏区注入 低温氧化 N沟硅柵E/D MOS集成电路工艺 引线孔光刻 反刻铝光刻 CMOS集成电路工艺 P阱工艺：用来制作NMOS管的P阱，是通过向高阻N型硅衬底中扩散或注入硼而形成 N阱工艺：用来制作PMOS管的N阱，是通过向高阻P型硅衬底中扩散或注入磷而形成 双阱工艺：同一衬底有两个阱，P阱工艺；N阱工艺。 P阱工艺 阱区光刻，刻出阱区注入孔 阱区注入推进，形成阱区 去除二氧化硅，长薄氧，长SI3N4 有源区光刻，刻出P管、N管的源、漏和栅区 N管场区光刻，刻出N管场区注入孔，然后N管场区注入（提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触 P阱工艺 长场氧，漂去SIO2、SI3N4，长栅氧 P管区光刻， P管区注入（调节P管开启电压），然后长多晶 多晶硅光刻，形成多晶硅栅及多晶硅电阻 P+区光刻,刻去P管区上的胶 P+区注入,形成PMOS管的源、漏区及P+保护环 P阱工艺 N+区光刻,刻去N管区上的胶 N+区注入,形成NMOS管的源、漏区及N+保护环 长PSG 引线孔光刻 铝引线光刻 压焊块光刻 N阱硅栅CMOS工艺（略） 双阱硅栅CMOS工艺 BI---CMOS工艺 双极工艺特点： 速度高、驱动能力强、模拟精度高 但功耗、集成度无法满足VLSI的要求 BI---CMOS工艺 CMOS工艺特点： 功耗低、集成度高、抗干扰能力强 但速度低、驱动能力差 既要高集成度，又要高速怎么办？ 把两种工艺接合起来，把双极器件和CMOS器件制在同一衬底上。综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS器件高集成度、低功耗的优点 方法分类 以CMOS工艺为基础的BI-CMOS工艺 P阱BI-CMOS工艺 N阱BI-CMOS工艺 特点是对CMOS器件有利 以双极性工艺为基础的BI-CMOS工艺 以双极性工艺为基础的P阱BI-CMOS工艺 以双极性工艺为基础的双阱BI-CMOS工艺 特点是对双极器件有利 P阱BI-CMOS工艺 P阱作为NPN管的基极;N衬底作为NPN管的集电区;以N+源、漏扩散（或注入）作为NPN管的发射区扩散、集电极的接触扩散 优点：工艺简单；MOS管的开启电压通过一次离子注入进行；NPN管自隔离