电子技术——放大电路.ppt

rbe RB RC RL E B C + - + - + - RS RE 例2： rbe RB RC RL E B C + - + - + - RS 例1： ri ri 5. 输出电阻计算 放大电路对负载(后级电路)，相当一个信号源，可进行戴维宁等效，等效电源的内阻即为放大电路的输出电阻 + _ RL ro + _ 定义： 输出电阻是动态电阻，与负载无关 输出电阻表明放大电路带负载能力。输出电阻愈小，负载变化时输出电压变化愈小，一般希望输出电阻较小 RS RL + _ Au 放大 电路 + _ rbe RB RC RL E B C + - + - + - RS 共射极放大电路特点： 1. 放大倍数高 2. 输入电阻低 3. 输出电阻高 例3： 求ro的步骤： 1） 断开负载RL 3）外加电压 4）求 外加 2）令 或 rbe RB RL E B C + - + - + - RS RE 外加 例4： 求ro的步骤： 1) 断开负载RL 3) 外加电压 4) 求 2) 令 或 交流通路 RB RC ui uO RL + + - - RS eS + - ib ic B C E ii 斜率为 且通过 Q点的直线 称为交流负载线 所以交流负载线比直流负载更陡 当 时，交直流负载重合 2.4.4 动态分析图解法 动态分析图解法 Q uCE/V t t iB/?A IB t iC/mA IC iB/?A uBE/V t uBE/V UBE UCE iC/mA uCE/V O O O O O O Q ic Q1 Q2 ib ui uo RL=? 由uo和ui的峰值（或峰峰值）之比可得放大电路的电压放大倍数。 * * * * 第2章 半导体三极管与基本放大电路 2.5 射极输出器 2.4 电压放大电路 2.1 半导体三极管 2.7 多级放大电路 2.8 差动放大电路 2.9 功率放大电路 2.1 半导体三极管 2.1.1 基本结构 基极 发射极 集电极 N N P NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 2.1. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 2. 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 2.10 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 2.14 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 晶体管的电流放大作用： IB微小变化→ IC大变化 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流 的变化，是CCCS器件 1. 输入特性 特点:非线性 死区电压： 硅管0.5V；锗管0.1V 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O 2. 输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性 发射结正偏、集电结反偏 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 饱和区 截止区 （3）饱和区