第3讲太阳能电池制造工艺详解.ppt

4、P-N结制作 在实际电池制作中，应综合考虑各个因素，因此太阳能电池的结深一般控制在0.3～0.5μm ，方块电阻平均为20～70Ω。 硅太阳能电池所用的主要热扩散方法有涂布源扩散、液态源扩散及固态源扩散等。 扩散工序应在十分清洁的环境中进行。 扩散用的器皿、工具要经过严格的清洗处理，还应注意保证去离子水和关键化学试剂的纯度。 4、P-N结制作 扩散后，硅片的两面和四周都形成扩散层。 硅片光照面形成的P-N结称为前结，是实现光电转换所必须的。 而背面的P-N结和周边扩散层必须在后续的工序中除去。 扩散之后必须对前结妥善保护，在实际工作中常常发现，电池转换效率低和成品率不高的原因是成结后的各项操作不慎，使P-N结损伤。如镊子划伤和不恰当的超声清洗等。绒面硅表面上的四面锥体的锥角更易损伤，操作时尤其要小心。 4、P-N结制作 5、刻边 扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。 去边的方法主要有腐蚀法和挤压法。 腐蚀法即将硅片两面掩好，在硝酸、氢氟酸组成的腐蚀液中加以腐蚀。 挤压法是用大小与硅片相同、略带弹性的耐酸橡胶或塑料与硅片相间整齐隔开，施加一定压力后阻止腐蚀液渗入缝隙，以取得掩蔽的方法。 5、刻边 目前工业化生产多用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅片作用，去除含有扩散层的周边。 6、去除背结 去除背结常用的方法有：化学腐蚀法、磨片法和蒸铝或丝网印刷铝浆烧结法。 化学腐蚀法 ：化学腐蚀法是较早使用的一种方法。该方法可同时去除背结和周边的扩散层，因此可省去腐蚀周边的工序。腐蚀后，背面平整光亮，适合于制作真空蒸镀的电极。前结的掩蔽一般用涂黑胶的方法。黑胶是用真空封蜡或质量较好的沥青溶于甲苯、二甲苯或其他溶剂制成。硅片腐蚀去背结后用溶剂溶去真空封蜡，再经过浓硫酸或清洗液煮清洗。 6、去除背结 磨片法：磨片法是用金刚砂将背结磨去的方法。也可以将携带沙粒的压缩空气喷射到硅片背面，除去背结。背结除去后，磨片后背面形成一个粗糙的硅表面，因此适应于化学镀镍背电极的制造。 蒸铝或丝网印刷铝浆烧结法：蒸铝或丝网印刷铝浆烧结法是在扩散硅片背面真空蒸镀或丝网印刷一层铝，加热或烧结到铝-硅共熔点（577℃）以上烧结合金。 6、去除背结 前两种去除背结的方法对于N+/P和P+/N型电池都适用，蒸铝或丝网印刷铝浆烧结法仅适用于N+/P型太阳能电池制作工艺。 6、去除背结 经过合金化以后，随着降温，液相中的硅将重新凝固出来，形成含有一定量的铝的再结晶层。它实际上是一个对硅掺杂的过程。它补偿了背面N+层中的施主杂质，得到以铝掺杂的P型层，随着合金温度的上升，液相中铝的比率增加。在足够的铝量和合金温度下，背面甚至能形成与前结方向相同的电场，称为背面场。目前该工艺已被用于大批量工业化生产，从而提高了电池的开路电压和短路电流，并减小了电极的接触电阻。 背结能否烧穿与基体材料的电阻率、背面扩散层的掺杂浓度和厚度、背面蒸镀或印刷铝层的厚度、烧结的温度及时间和气氛等因素有关。 7、减反射膜制作 光照射到平面的硅片上，其中一部分被反射，即使对绒面的硅表面，由于入射光产生多次反射而增加了吸收，也有约11%的反射损失。在硅片上覆盖一层减反射膜层，可大大降低光的反射。 减反射膜 又称增透膜，它的主要功能是减少或消除光学表面的反射光，从而增加这些元件的透光量，减少或消除系统的杂散光。 7、减反射膜制作 最简单的减反射膜是单层膜，它是镀在光学零件光学表面上的一层折射率较低的薄膜。如果膜层的光学厚度是某一波长的四分之一，相邻两束光的光程差恰好为π,即振动方向相反，叠加的结果使光学表面对该波长的反射光减少。 适当选择膜层折射率，这时光学表面的反射光可以完全消除。 一般情况下，采用单层增透膜很难达到理想的增透效果,为了在单波长实现零反射,或在较宽的光谱区达到好的增透效果，往往采用双层、三层甚至更多层数的减反射膜。 7、减反射膜制作 如图为1/4波长减反射膜的原理。从第2个界面返回到第1个界面的反射光与第1个界面的反射光相位差180°，所以前者在一定程度上抵消了后者。 8、制作上下电极 电极就是与P-N结两端形成紧密欧姆接触的导电材料。习惯上把制作在电池光照面上的电极称为上电极；把制作在电池背面的电极称为下电极或背电极。制造电极的方法主要有真空蒸镀、化学镀镍、铝浆印刷烧结等。铝浆印刷是目前在商品化电池生产中大量被采用的工艺方法。 8、制作上下电极 制作上下电极的材料一般应满足下列要求： 能与硅形成牢固的接