第11章 磁敏传感器.pptVIP

第11章 磁敏传感器 * * 11.1 磁敏电阻器 1．磁阻效应 若给通以电流的金属或半导体材料的薄片加以与电流垂直或平行的外磁场，则其电阻值就增加。称此种现象为磁致电阻变化效应，简称为磁阻效应。 在外加磁场作用下，某些载流子受到的洛伦兹力比霍尔电场作用力大时，它的运动轨迹就偏向洛伦兹力的方向；这些载流子从一个电极流到另一个电极所通过的路径就要比无磁场时的路径长些，因此增加了电阻率。 图11-1 磁敏元件 当温度恒定时，在磁场内，磁阻与磁感应强度B的平方成正比。如果器件只是在电子参与导电的简单情况下，理论推导出来的磁阻效应方程为 当电阻率变化为 时，则电阻率的相对变化为： 当材料中仅存在一种载流子时磁阻效应几乎可以忽略，此时霍耳效应更为强烈。若在电子和空穴都存在的材料（如InSb）中，则磁阻效应很强。 磁阻效应还与磁敏电阻的形状、尺寸密切相关。 若考虑其形状的影响。电阻率的相对变化与磁感应强度和迁移率的关系可表达为 长方形磁阻器件只有在L(长度)＜b（宽度）的条件下，才表现出较高的灵敏度。把L＜b的扁平器件串联起来，就会得到零磁场电阻值较大、灵敏度较高的磁阻器件。 图11-2（a）为器件长宽比l／w＞＞l的纵长方形片，由于电子运动偏向一侧，必然产生霍尔效应，当霍尔电场EH对电子施