电子材料物理第三章.要点解析.ppt

第三章 电子材料的电导 本章概要:本章讨论在电学领域广泛应用的无机电子材料(半导体材料和电子功能陶瓷材料)的电导特性,重点为离子电导,电子电导和半导体材料的界面电导. 作业 3.1, 3.2, 3.3, 3.7,3.10 主要内容 3.1 电导的物理现象 3.2 离子电导 3.3 电子电导 3.5 半导体材料的界面电导 3.6 超导体 3.1.1 电导的主要参数 1 电导率和电阻率 2 迁移率和电导率的一般公式 3 体积电阻与体积电阻率 4 表面电阻与表面电阻率 5 电阻测量-直流四端电极法 3.1.2 电导的分类 1 电导的分类 2 电导的物理效应-霍尔效应、电解效应 3.1 电导的物理现象 3.1.1 电导的主要参数 1 电导率和电阻率 电介质并非理想绝缘体，在电场作用下均有一定的电流通过，此即为电介质的电导  2.迁移率和电导率的一般表达公式  3.体积电阻与体积电阻率 ①体电阻的引入  ②体电阻的计算  4.表面电阻与表面电阻率 5．直流四端电极法——电导率的测量方法 ①测量原理（图3.7）： 3.1.2 电导的分类 （1）分类： 电子电导：电子（空穴），固态导体半导体，强电场下的绝缘体 离子电导：正负离子，液态导体半导体，弱电场下的绝缘体 （2）物理效应 电子电导——霍尔效应，Ey= （x电场，z磁场，y向产生电压）。 为霍尔系数 离子电导——电解效应，g=cQ（g电解物质量，Q电量，c为电化当量） 3.2 离子电导 3.2.1 载流子浓度 1本征电导 2 杂质电导 3.2.2 离子迁移率 1 离子迁移的微观机制 2 离子迁移率 3.2.3 离子电导率 1 离子电导的一般表达式 2 扩散与离子电导 3.2.4影响离子电导率的主要因素 3.2.5 固体电解质ZrO2 3.2 离子电导 离子电导——本征电导：源于晶体点阵的基本粒子的运动（固有离子电导），高温下显著 杂质电导——源于弱联系杂质离子的运动，低温下明显 3.2.1 载流子浓度 1. 本征电导： （1）弗仑克尔缺陷（同时形成填隙离子和空位,其浓度相等） Nf=Nexp（-Ef/2kT） Ef：形成弗仑克尔缺陷所需的离解能 N：单位体积内的离子结点数 （2）肖特基缺陷（同时形成正负离子空位） Ns=Nexp（-Es/2kT） Es：离解一个阴离子和阳离子并达到表面所需要的离解能 N：点位体积内的离子对数目 结论 （1）热缺陷的浓度由温度和离解能决定，常温下kT比E小的多，所以高温下热缺陷的浓度才显著增加 （2）离解能和晶体结构有关，一般肖特基缺陷形成能比弗仑克尔形成能小很多。 2.杂质电导： 载流子浓度取决于杂质数量和种类。无论替代式和间隙式质，不仅使载流子数目增加，而且使晶格点阵畸变，其离解能小，在低温下明显。 3.2.2 离子迁移率（u） 1. 离子载流子迁移的微观机制（图3.11） ★离子扩散 2.离子迁移率 离子在彭衡位置作热振动，当振动能量超过临近离子对它的束缚势垒时，离子才能离开平衡位置而迁移，每个方向单位时间越过势垒到新的平衡位置的离子数 有外场作用（图3.12）：离子电荷q，电场沿x正向。 ⒊⒉⒊离子电导率 ⒈ 离子电导的一般表达式（ ） ①若为本征半导体（肖特基半导体）  ②对杂质电导（间隙，替位）  ∵ ③一般情况 ⒉扩散与离子电导 1） 离子扩散机制 离子电导是在电场作用下的扩散现象，主要有5种扩散机制： （1）易位扩散：正负离子直接易位，活化能最大 （2）环行扩散：同种离子相互易位，实际可能性小 （3）间隙扩散：对较大离子，困难 （4）准间隙扩散：较易 （5）空位扩散：活化能最小，最常见的方式 五种扩散机制中，易位扩散所需活化能最大；同种离子间的环 形扩散也较难；空位扩散所需要的活化能最小。  图3.13  扩散电流： 3.2.4 影响离子电导率的因素 ⒈ 温度 本征离子电导： 杂质： 随着温度的升高，电导率指数规律增加（3.14） 2 晶体结构 电导率随活化能（包括电离能和迁移能）w指数变化，而活化能反映粒子的固定程度，与晶体结构有关： 熔点高的晶体——晶体结合力大——活化能高-迁移率低—电导率低 离子电荷大小与活化能有关:正离子电价高—活化