模电期末复习资料.docVIP

半导体器件 N型半导体，在本征半导体中掺入五价元素，它的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 P型半导体。在本征半导体中掺入三价元素，它的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。 半导体中载流子的运动方式：漂移运动、扩散运动。 PN结及基单向导电性 PN结外加正向电压,即P型区接外加电源正极, N型区接外加电源负极,PN结导通当PN结外加正向电压时,扩散电流 增加,漂移电流减小扩散电流由N型区,P型区多数载流子产生 漂移电流由N型区,P型区少数载流子形成 PN结外加反向电压,即P型区接外加电源负极,N型区接外加电源正极,PN结截止,P结呈高阻抗.PN结反向偏置时,扩散电流趋于零,反向漂移电流很少 5.二极管 二极管由一个PN结组成，二极管的伏安特性由正向伏安特性、反向伏安特性及击穿特性三部份组成 正向特性 当外加电压大于其阀值电压(Si: =0.5V, Ge: =0.1V)时, 流过二极管的电流由零显著增加. 反向特性 二极管外加反向电压时,其反向电流很少 击穿特性 当二极管承受的反向电压大于其本身的击穿电压时,反向电流急剧增大 例:二极管电路如图示,试判断图4中二极管是导通还是截止,并求出二端的电压,设二极管是理想的. 解: 对于图4a） 首先断开二极管D,求、 此时, =－12V, =－6V, 则=－＝－６－（－１２）＝６Ｖ 这样，二极管是正向导通的 由理想模型,＝０． 由此　　＋６－１２＋３Ｉ＝０ 　　　　Ｉ＝２mA ＝２×３－１２＝－６Ｖ． 解：对于图b），当D断开时， 　　　＝－１５Ｖ，＝－１２Ｖ =－＝－１５－（－１２）＝－３Ｖ D因反向偏置而截止，＝－１２Ｖ． 例：二只稳压值分别为7.5V和8.5V的稳压二极管串联 使用,连接方式如图5所示, 为多少伏,设稳压二极管正向 导通压降为0.7V 解: 设=7.5V, =8.5V 对于图5a)电路,由于二支稳压管 均处于稳压状态(即均为反向击穿状态) =+=7.5+8.5=16V 对于图5b)电路, 为反向击穿状态, 为正向连接,故=+=7.5+0.7=8.2V 6.稳压二极管 它是利用PN结的击穿特性,即当流过稳压二极管电流变化较大时,其二端电压变化较小的性质,在电路中起稳压作用. 稳压二极管正常工作是在反向击穿状态,即外加电源正极接其N型区,外加电源负极接其P型区; 稳压二极管应与负载并联使用; 应保证稳压二极管工作于规定的电流范围; 7.半导体三极管 半导体三极管是双极型器件，即参与导电的载 流子是电子和空穴，三极管有三个电极(发射极,基极,集电极)、 三个分区(发射区,基区,集电区)、二个PN结(发射结,集电结) 半导体三极管分为NPN型和PNP型二种。 三极管在电路中的作用是对外加交流输入信号进行不失真 地放大。三极管放大的条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置， 即发射结外加正向电压,集电结外加反向电压，以保证放大电路 具有合适的工作范围。 电流分配与放大原理 发射区的作用：向基极扩散(注入)电子载流子, 形成直流,基区的作用,传输和控制由发射区注入 到基区的电子载流子，在正极的吸引下,由发射区 扩散到基区的电子载流子有很小的一部份被其吸引而形成直流. 集电区的作用:发射区扩散到基区的大部份电子载流子受集电结外加反向电压的作用, 漂移过集电结形成受发射结外加电压控制的集电极电流,与集电区反向饱和电流一起形成集电极电流，即=+.通常,故=. 三极管电流分配关系: (静态时) 结论 发射结外加正向直流电压控制着由发射区向基区扩散的电子表载流子所形成的电流及基极电流. 集电结外加反向直流电压控制着由发射区扩散到基区并被集电区所收集的电子载流子所形成的电流. 在发射结正向直流电压,集电结外向直流电压不变的情况下,若在三极管b－e之间引入一个小的交流输入电压,发射极,基极,集电极电流会随作同样的变化(,发射极,基极,集电极的变化分别用、、表示),并在集电极电阻上得到一个较大的电压变化作为输出(),这样,通过,将三极管的电流放大作用(三极管的电流放大作用由其交流电流放大系数表示, 是在三极管制造过程中人为确定的)转换成电压放大作用. 由三极管的输出特性曲线,它的三种工作状态分别为放大状态,截止状态和饱和状态某三种工作状态外加直流电压的条件. 放大状态：发射结正向偏置、集电结反向偏置； 截止状态：发射结反向偏置、集电结反向偏置； 饱和状态：发射结正向偏置,集电结正向偏置 例:放大电路中三极管三个电极的电位分别为1)5V,1.2V,0.5V; 2)6V,5.8V,1V试确定各电位对应的电极和三极管的类型(是NPN,还是PNP型,是硅管还是锗管) 解:对于放大状态下的NPN型三极管,三个电极的电位大小为 (