第四章_金属和合金中的扩散技术报告.pptVIP

扩散的其他应用 高扩散率的通道 沿晶界扩散 沿位错扩散 沿表面扩散 高扩散率通道网络 多相二元合金的扩散 三元合金中的扩散 影响扩散系数的因素 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 + l Ⅰ. 高扩散率的通道（High-Diffusivity Path） ① 沿晶界扩散 为了测定晶界的扩散系数，设计扩散实验：垂直于表面的晶界厚 度为2a，在表面上沉积一层放射性同位素。同位素原子从表面向 内扩散。扩散时，沿晶界扩散快，晶界内同位素浓度比晶界两侧 的晶体高，使同位素原子也向晶界两侧扩散。C-晶内浓度，C′-晶 界浓度，Dl和Db分别是晶内及晶界的扩散系数。在晶界两侧的晶体 内，扩散满足： x a = Dl? 2C ? C ? t 在晶界内，浓度决定于晶体内扩散及 晶界向两侧扩散。因晶界厚度不大， 假设晶界浓度和厚度方向x无关： s →0+ x a, = Db D ? C a ? x a + s ? 2C ? y 2 ? C ? t 炣 右端第一项是沿y方向流量的散度，第二项是晶界和晶内之间的侧 向物质交换量。在边界x=a处，C ′=C；若是溶质扩散，则C ′=KC，K 是晶界偏析因子。 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 β = ?? ? Db ?? Ka ? Dl ???? ( Dlt )1 2 ?? 联合上面两个方程，可以获得解。 沿晶界扩散的浓度轮廓示意图 分析表明：当因子 1 ? ? 炣 时，晶界渗入晶内的影响才能明显显现 出来。 不同β值对晶界附近的晶粒内部的浓 度分布的影响 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 (C2 ? C1 ) ? ?? )?= C1 + 1?erf(β)通常称为余误差函数，记作erfc(β) 。 ) erfc( 2 x 4Dt (C2 ? C1 ) 2 x ? 4 Dt ? 1 ? erf ( C = C1 + 把系数代回通解，获得半无限大扩散偶在上述边界条件下的扩散 方程的解： D π C1 ? C2 2 k2 = C1 + C2 2 k1 = 解联立方程，得 若已经知道D，在扩散t时刻后，对不同x值求出，然后从误差 函数表查出 erf ( x 2 Dt ) 的值，就可以获得t时刻的浓度分布曲线。 如果以(C?C1)／(C2?C1)作纵 坐标，以作x 2 Dt 横坐标，那 么不论C1和C2为何值，也不论 任何时刻，所得的曲线是相同 的。 C = k1 + 2 从曲线看出，不论扩散过程的什么时刻(t≥0)，在x=0处的浓度 维持常数。利用这一特点，对很多表面渗层浓度可以套用这种 解。 设表面浓度为Cs，原始浓度仍为C1，这时的边界条件是 k2 = (C1 ? Cs ) D π ) x 2 Dt C = Cs ? (Cs ? C1 )erf ( t时刻渗入的总量Q(t)是(C?C1)在整个空间的积分（从0到∞积分）， 积分后得： 2 π (Cs ? C1 ) Dt Q( t ) = ) erf ( x 2 Dt π D k 这时的解为： C ( x = ∞, t ) = C1 C ( x = 0, t ) = Cs ; 代入 CS = k1 k2 π D k2 π D = CS + C1 = k1 + 即 得 误差函数解的推广 现推广到初始时几个不同成分的部分接合在 一起并且整体近似是无限长时的扩散情况，这时，可以把解写成 包含若干个误差函数的线性式，其中每一个误差函数的距离变量 对应每一个成分突变位置。然后根据边界条件求出式中的系数来 获得解。 例：一段长为2h成分为C2的试样，两 端各焊合成份为0的半无限长试样， 在给定温度保温的扩散情况。 这种情况的解可引入2个误差函数，把坐标原点放在成分为C2的那 段的中点，则这2个误差函数分别为 erf ( x ? h 2 Dt ) 和 erf ( x + h 2 Dt ) 扩散方程的解写为： ) x + h 2 Dt ) + k3erf ( x ? h 2 Dt C = k1 + k2 erf ( k1、k2和k3是根据边界条件待定的系数。 t=0及-h＜x＜h时，C=C2得： C2 = k1 ? k2 + k3 t0及x=±∞时， C=0得： 0 = k1 ? k2 ? k3 0 = k1 + k2 + k3 k2 = ? C2 k3 = C2 C = C2 ?erf ( )? 解边界条件的3个方程，得出