第3章毫米波固态电路20140330-毫米波放大器-1要点解读.ppt

(1) 本征器件等效电路结点编号 (2）SDD模型编程 (3) 模型在ADS中仿真原理图 3.2.2毫米波FET器件建模 6、模型验证 3.2.2毫米波FET器件建模 大信号模型负载牵引仿真原理图 f0=3GHz，Vgs=-2.85V，Vds=28V 400μm器件负载牵引功率和效率的仿真与测试结果 f0=14GHz，Vgs=-2.85V，Vds=28V 3.2.2毫米波FET器件建模 （a）f0=3GHz，Vgs=-2.85V，Vds=28V （b）f0=14GHz ,Vgs=-2.85V，Vds=28V 400μm器件功率、增益及效率仿真与测试结果 400μm器件模型的功率扫描结果 模型的高低温分析 f0=3GHz，Vgs=-2.85V，Vds=28V f0=14GHz，Vgs=-2.85V，Vds=28V 3.2.2毫米波FET器件建模 3.2.2毫米波FET器件建模 7、缩放模型 大栅宽器件建模示意图 小栅宽器件自由缩放 1.25mm 400μm 300μm 电感 电容 电阻 输入/输出PAD 传输线 通孔 二、无源元件建模 3.2.2毫米波元器件建模 主要的研究方法： 基于电磁仿真软件的仿真方法； 基于测试数据的等效电路模型方法； 基于测试数据的机器学习方法。 3.2.2毫米波无源元件建模 螺旋电感 串联电阻Rser的计算 串联电感Lser的计算 反馈电容Cf的计算 衬底电容Csub的计算 典型的方螺旋电感平面图和等效电路 3.2.2毫米波无源元件建模 螺旋电感——串联电阻的计算 趋肤效应导致了串联电阻强烈的频率关系，一段微带线的电阻可以由微带线的公式计算得到。 3.2.2毫米波无源元件建模 电感的计算是以Greenhouse的方法作为基础的，一个螺旋电感总的串联电感量可以由自感和互感相加得到。其中，直流自感的计算公式如下： 螺旋电感——串联电感的计算 3.2.2毫米波无源元件建模 电感模型的验证 n=9 L=166μm w=20 μm s=10 μm 3.2.2毫米波无源元件建模 HFSS中的电感建模 3.2.2毫米波无源元件建模 MIM 电容模型 3.2.2毫米波无源元件建模 电容的计算可以由平行板电容器的计算公式得到， 由电容介质引入的损耗电导可以由下式得到， 金属的损耗电阻R11和R22 由金属趋肤电阻的计算公式得到， 由金属导带引入的电感的计算是建立在微带线理论的基础上的， C11和C22分别是上、下平行板对地电容， MIM 电容模型 3.2.2毫米波无源元件建模 电容模型验证 尺寸为200×484 μm2电容的测量值与计算值的比较 3.2.2毫米波无源元件建模 电阻 3.2.2毫米波无源元件建模 模型库的建立和使用 3.2.2毫米波无源元件建模 Cadence Layout, LVS and DRC Check Circuit-Level Simulation ADS Circuit-Level and EM Simulation Layout, DRC Check Ansoft HFSS EM-Level Simulation AWR Microwave Office Circuit-Level and EM Simulation Layout, DRC Check IC-CAP Modelling Software …… Co-simulation 3.2.2毫米波无源元件建模 3.2.2毫米波无源元件建模 一、MMIC电路工艺 3.2.3 毫米波MMIC放大器设计 二、MMIC 放大器电路设计 三、MMIC电路测试技术 Step1:有源层外延 Step2:欧姆接触 以GaAs PHEMT工艺为例 3.2.3 毫米波MMIC放大器设计 一、MMIC电路工艺 Step3:硼离子注入 3.2.3 毫米波MMIC放大器设计 Step4:制作栅电极 3.2.3 毫米波MMIC放大器设计 Step5:第一层金属 3.2.3 毫米波MMIC放大器设计 Step6:介质层 3.2.3 毫米波MMIC放大器设计 Step7:第二层金属 3.2.3 毫米波MMIC放大器设计 Step8:通孔制作 3.2.3 毫米波MMIC放大器设计 Step9:划片道制作 3.2.3 毫米波MMIC放大器设计 * * 晶体管SEM图片 3.2.2毫米波FET器件建模 3.2.2毫米波FET器件建模 方法 种类 优点 缺点 基于物理 数值模型 理论上准确;适用于各种物理结构和工艺参数的MSEFET；可以预研究器件。 过分耗机时，在CAD应用中正在完善；准确度依赖模型，精度有所局限。 解析模型 非常适合器件设计，尤其是MMIC设计和特性模拟。适用CAD技术 由于加工