第4章RFID的射频前端要点解读.ppt

第4章 RFID的射频前端 从能量和信息传输的基本原理来说，射频识别技术在工作频率为13.56 MHz和小于135kHz时，基于电感耦合方式，在更高频段基于雷达探测目标的反向散射耦合方式。电感耦合方式的基础是电感电容谐振回路和电感线圈产生的交变磁场，是射频卡工作的基本原理。反向散射耦合方式的理论基础是电磁波传播和反射的形成，用于微波电子标签。这两种耦合方式的差异在于所使用的无线电射频的频率不同和作用距离的远近，但相同的都是采用无线电射频技术。实现射频能量和信息传输的电路称为射频前端电路，简称为射频前端。 4.1阅读器天线电路 4.1.1阅读器天线电路的选择 下图所示为3种典型的天线电路。在阅读器中，由于串联谐振回路电路简单、成本低，激励可采用低内阻的恒压源，谐振时可获得最大的回路电流等特点，因而被广泛采用。 4.1.2串联谐振回路 1. 电路组成 2. 谐振及谐振条件 串联回路的谐振条件 3. 谐振特性 串联谐振回路具有如下特性。 （1）谐振时，回路电抗X=0，阻抗Z=R为最小值，且为纯阻。 （2）谐振时，回路电流最大，且与电压同相。 （3）电感与电容两端电压的模值相等，且等于外加电压的Q倍。 谐振时电感L两端的电压为 4. 能量关系 设谐振时瞬时电流的幅值I0m为 ，则瞬时电流为 电感L和电容C上存储的能量和为 5. 谐振曲线和通频带 1）谐振曲线 回路中电流幅值与外加电压频率之间的关系曲线，称为谐振曲线。 回路Q值越高，谐振曲线越尖锐，回路的选择性越好。 通频带BW为 4.1.3电感线圈的交变磁场 1. 磁场强度H和磁感应强度B 安培定理指出，当电流流过一个导体时，在此导体的周围会产生磁场，如图4-5所示。对于直线载流体，在半径为a的环行磁力线上，磁场强度H是恒定的，磁场强度H与磁感应强度B分别为 2. 环形短圆柱形线圈的磁感应强度 在电感耦合的RFID系统中，阅读器天线电路的电感常采用短圆柱形线圈结构，如图4-6所示。离线圈中心距离为r处P点的磁感应强度的大小为 1）磁感应强度B和距离r的关系 2）最佳线圈半径a 设r为常数，并简单地假定线圈中电流不变，讨论a和BZ的关系。 3. 矩形线圈的磁感应强度 矩形线圈在阅读器和应答器的天线电路中经常被采用，在距离线圈为r处的磁感应强度B的大小为 4.2应答器天线电路 4.2.1应答器天线电路的连接 1）MCRF355和MCRF360芯片的天线电路 Microchip公司的13.56MHz应答器（无源射频卡）芯片MCRF355和MCRF360的天线电路接线示意图如下图4-8所示。 当Ant.B端通过控制开关与Vss端短接时，谐振回路与工作频率失谐，此时应答器芯片虽然已处于阅读器的射频能量场之内，但因失谐无法获得正常工作所需能量，处于休眠状态。 当Ant.B端开路时，谐振回路谐振在工作频率（13.56 MHz）上，应答器可获得能量，进入工作状态。 2）e5550芯片的天线电路 e5550是工作频率为125kHz的无源射频卡芯片，其天线电路的连接比较简单，如图4-9所示，电感线圈和电容器为外接。除此之外，e5550芯片还提供电源（Vdd和Vss）和测试（Testl，Test2，Test3）引脚，供测试时快速编程和校验，在射频工作时不用。 4.2.2并联谐振回路 1. 电路组成与谐振条件 串联谐振回路适用于恒压源，即信号源内阻很小的情况。如果信号源的内阻大（采用恒流源），应采用并联谐振回路。 图4-10（a）中并联回路两端间的阻抗为 由b=0，可以推得并联谐振条件为 并联谐振回路谐振时的回路端电压 并联谐振回路的通频带带宽为 4.2.3串、并联阻抗等效互换 为了分析电路的方便，经常需要用到串、并联阻抗等效互换。所谓“等效”就是指在电路的工作频率为f时，从图4-12的AB端看进去的阻抗相等。 串联回路的品质因数 4.3阅读器和应答器之间的电感耦合 当应答器进入阅读器产生的交变磁场时，应答器的电感线圈上就会产生感应电压。当距离足够近，应答器天线电路所截获的能量可以供应答器芯片正常工作时，阅读器和应答器才能进入信息交互阶段。 4.3.1应答器线圈感应电压的计算 应答器线圈上感应电压的大小和穿过导体所围面积的总磁通量的变化率成正比。感应电压可表示为 应答器线圈上感应电压的大小和互感大小成正比，互感是两个线圈参数的函数，并且和距离的三次方成反比。因此，应答器要能从阅读器获得正常工作的能量，必须要靠近阅读器，其贴近程度是电感耦合方式RFID系统的一项重要性能指标，也称为工作距离或读写距离（读距离和写距离可能会不同，