电子科大微机原理第五部分存储器练习.docVIP

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电子科大微机原理第五部分存储器练习

第五部分 存储器 一、判断 动态RAM的速度通常高于静态RAM。 ( ) 与静态RAM相比,动态RAM的优点是位密度高,功耗低。 ( ) 采用线选法或部分译码法形成片选信号的存储组织,其存储单元的地址不是唯一的;必须采用全译码的方式才可避免地址重叠。 ( ) IBM PC/XT的最低端内存00000H~003FFH固定用做中断向量表,用户不能随意破坏,所以该表由ROM构成。 ( ) 2164是一种DRAM芯片,它有A0~A7共8条片内地址线,故可寻址256个存储单元。 ( ) 1、╳ 2、√ 3、√ 4、╳ 5、╳ 二、选择 1、要组成32KB的存储器模块,可以用( )。 (A) 2片32 K×4bit的存储器芯片 (B) 4片8K×4bit的存储器芯片 (C) 2片16K×1bit的存储器芯片 (D) 8片4K×8bit的存储器芯片 2、若用16K×4bit的SRAM组成48KB的RAM,共需要( )片。 (A)3 (B)4 (C)6 (D)8 3、在下列各类存储器中,掉电后内容不丢失的是( )。 (A)掩膜ROM (B)EPROM (C)DRAM (D)SRAM 4、IBM PC/XT的初始化程序存放在1MB内存的( )区。 (A)常规内存区 (B)低端RAM区 (C)高端ROM区 (D)中断向量表 1、A,D 2、C 3、A,B 4、C 三、填空 1、下列规格的SRAM芯片各有多少条片内地址线和数据输入/输出线? 1K ( 4bit 地址线 条,数据线 条; 8K ( 8bit 地址线 条,数据线 条; 32K ( 4bit 地址线 条,数据线 条; 4K ( 1bit 地址线 条,数据线 条; 2、已知存储组织的容量和它们的首地址,试写出它们各自可寻址的最大地址。 4KB容量,首址为A8000H,末址为 H; 12KB容量,首址为30000H,末址为 H; 20KB容量,首址为56000H,末址为 H; 32KB容量,首址为04000H,末址为 H; 3、用1K×4bit的存储器芯片,组成容量为4KB的存储器,共需 片这样的芯片,分为 个芯片组。若采用部分译码法产生片选信号,每组至少需要 条地址线。 4、程序存储器ROM的特点是 ;数据存储器RAM的特点是 。 5、拟为某微机系统设计一块存储器容量为192KB的SRAM存储模板,系统的地址总线为20条。若设定该模板的起始地址为40000H,则末地址应是 H;已有SRAM为32KB的62256,若采用全译码方式,则用于产生片选的地址线有 。 6、某微机系统有地址总线16条,其读写存储器RAM的容量是40KB,首地址为4000H,则RAM的最高可用地址是 H。 7、若用128K(1bit的SRAM芯片构成640KB的存储组织,共需要这样的芯片 片,其中每 片的片选信号/CS应连在一起。实现片选的地址线至少有 条。 1、各芯片的地址、数据线数目分别是: 1K(4bit 地址线10条,数据线4条; 8K(8bit 地址线13条,数据线8条; 32K(4bit 地址线15条,数据线4条; 4K(1bit 地址线12条,数据线1条; 2、各存储组织的末地址分别是: 4KB容量,首址A8000H,末址A8FFFH; 12KB容量,首址30000H,末址32FFFH; 20KB容量,首址56000H,末址5AFFFH; 32KB容量,首址04000H,末址0BFFFH; 3、8;4;12 4、只可读不可写,掉电后内容不丢失;可读可写,掉电后内容即失 5、6FFFFH;A15~A19 6、DFFFH 7、40;8;3 四、存储器接口设计 现有8K×8bit的ROM和SRAM各1片。欲构成总容量为16KB的存储系统,要求内存地址从50000H起,ROM在前、RAM在后,地址连续且无重叠。完成各芯片与系统总线的连接(系统地址线有20条、数据线8条。所需门电路可自由选择),并写出各芯片的地址范围。 用2114(1K(4位)芯片扩充1KB的SR

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