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第1章 常用半导体器件1. N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。A.带负电 B.带正电 C.不带电 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 2. 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。A.变窄 B.变宽 C.不变 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 3. 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。A.增大 B.不变 C.减小 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 4. 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV时，输出电压最大值为10V的电路是(　　　　)。 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 5. 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：D 问题解析： 6. 稳压管的动态电阻rZ是指(　　　　)。A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 7. 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。A.PNP管的集电极 B.PNP管的发射极 C.NPN管的发射极 D.NPN管的基极 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 8. 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。A.NPN型锗管 B.PNP型锗管C.NPN型硅管 D.PNP型硅管 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A 基本放大电路1. 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。A.反向 B.近似等于零C.不变 D.增大 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 2. 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为( )。A.发射结反偏，集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 3. 晶体管的电流放大系数是指(　　　　)。A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 4. 低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于(　　　　)。A. B. C. 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 5. 某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在(　　　　)。A.截止状态 B.放大状态 C.饱和状态 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为(　　　　)。A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 7. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约为(　　　　)。A.0V B.＋2V C.－2V D.－1V 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 8. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为(　　　　)。A.1mA./V B.0.5mA./V C.-1mA./V D.-0.5mA./V 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A 问题解析： 9. 如图示放大电路中接线有错误的元件是(　　　　)。A.RL B.RB C.C1 D.C2 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 10. 放大电路如图所示，由于RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是(　　　　)。A.适当增加RB2，减小RB1 B.保持RB1不变，适当增加RB2C.适当增加RB1，减小RB2 D.保持RB2不变，适当减小RB1 答题： A. B.